Bài Thí Nghiệm Số 7 đo ĐIỆN TRỞ BẰNG CẦU WHEATSTONE

Tải bản đầy đủ (.pdf) (11 trang)

1. Trang chủ
>>
2. Giáo Dục - Đào Tạo
>>
3. Cao đẳng - Đại học

Bài thí nghiệm số 7 đo ĐIỆN TRỞ BẰNG CẦU WHEATSTONE

Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (683.42 KB, 11 trang )

Bài thí nghiệm số 7 – Nhóm 10ĐO ĐIỆN TRỞ BẰNG CẦU WHEATSTONEI. MỤC ĐÍCHNghiên cứu cầu WHEATSTONE, ứng dụng mach cầu WHEATSTONE để đo điện trở.II. LÝ THUYẾTCCầu WHEATSTONE gồm 3 điện trở đã biếtRo, R1, R2, một điện trở chưa biết Rx, một nguồnRonuôi một chiều và một ampe kế A được nối nhưRxI1sơ đồ hình 1.Khi ta đóng khố K và K1 dịng điện từnguồn sẽ phân nhánh vào điện trở R1 & Ro. Ta cóAthể điều chỉnh các điện trở Ro, R1 và R2 sao chokhông có dịng đi qua điện kế V, lúc đó:1.tương tự, cường độ I3 trong nhanh AD bằngcường độ I4 trong nhánh DB2.B-I3I4k1R1R2DCường độ I1 của dòng điện trong nhánh ACbằng cường độ I2 của dịng điện trong nhánh CB:I2+Vk-+Hình 1Các điểm C và D ở cùng điện thế, ta có:Hay:VA - VC = VA - VD và VC - VB = VD - VB(1)RoI1 = R1I3(2)RxI2 = R2I4(3)Chia phương trình (3) cho phương trình (2), ta có:Rx R2=Ro R1 Rx = RoR2R1(4)Từ phương trình (4), nếu biết Ro và tỷ số R2/R1 thì ta xác định được Rx.III. DỤNG CỤ THÍ NGHIỆMTTTên dụng cụ thí nghiệmSố lượng1Nguồn ni hạ áp12Đồng hồ đa năng HIOKI13Mạch cầu WHEATSTONE11 4Biến trở Ro15Dây điện trở1m15TT1234523Chức năngCông tắc nguồnLối ra 12V xoay chiềuLối ra 020V xoay chiềuLối ra 020V một chiềuNúm chỉnh điện áp ra 3 và 441. Nguồn nuôi hạ áp có 3 lối ra:2. Đồng hồ đa năng HIOKI: Có 4 chức năng đo tương ứng với dũng điện, điện áp mộtchiều, xoay chiều và điện trở. Khi sử dụng chúc năng đo nào thỡ xoay công tắc chọn chứcnăng đó.Màn hình hiện thị kếtquảCơng tắc chọn chứcnăng đoCực dương (Đo dịngDC, AC(µA, mA))Cực dương (Đo điện ápDC, VC, điện trở)Cực dương (Đo dòngAC, DC (A))Cực âm2 3. Biến trở Ro: bằng cách ghép nối tiếp 7 hộp điện trở có các giai x 1, x 10,x 100, x1K, x 10 K, x100 K, x1 M, cho phép ta thay đổi từng 1 một từ 0 đến 111111110.IV. THỰC HÀNH1. Mắc mạch theo sơ đồ hình vẽ:RoRxC+Vl1Dây điện trở-l2ABDThanh gỗThước mét+-2. Đồng hồ đa năng HIOKI: vặn công tắc quay chọn thang đo điện áp 1 chiều.3. Bật công tắc 1 của nguồn nuôi, điều chỉnh núm 5 sao cho điện áp lối ra 4 nhỏ hơn 1,5V.4. Dịch chuyển điển tiếp xúc D để dòng qua vụn kế V bằng 0. Kết quả đo l1 và l2 cho RX1 ghivào bảng 1.Tương tự đối với điện trở RX2 và RX1 mắc song song với RX2. Kết quả đo l1 và l2 ghi vàobảng 1.Bảng 1:Số lần đoRX1l1 (cm)RX2l2(cm)l1 (cm)Lần 13RX1// RX2l2(cm)l1 (cm)l2(cm) Lần 2Lần 3Lần 4Lần 5V. NHỮNG NỘI DUNG CẦN BÁO CÁO1. Cơ sở lý thuyết.2. Kết quả thí nghiệm (Bảng số liệu).3. Tính các giá trị l1 & l2 , suy ra tỷ số R 2 R1 như sau:l2R2l2= S =R1l1 l1Strong đó(5) , S là điện trở suất và tiết diện dây điện trở.Thay (5) vào phương trình (4) tính được R x .4. Tính sai sốa. Sai số tuyệt đối: Từ l 1 , l 2 , l 1 , l 2 và R x , suy ra  R x .b. Sai số tỷ đối:=R x 100% .Rx5. Kết quả được viết dưới dạngRx = R x   R xvà Rx = R x  4 BẢNG KẾT QUẢ THỰC NGHIỆM – NHĨM 10Bài thí nghiệm số 07: ĐO ĐIỆN TRỞ CẦU WHEATSONHọ tên sinh viên .............................................. Mã số SV: .......... Lớp:……Những người làm cùng: 1 ...............................................................................2 ..................................................................................3 ..................................................................................Bảng 1: Kết quả đo Rx1Lần đoR0 = 100 R0 = 150 l1 (cm)l2 (cm)l1 (cm)l2 (cm)l1 (cm)l2 (cm)150.549.559.640.467.133.0250.549.660.139.967.133.0350.449.659.740.367.132.9450.449.660.439.667.232.8549.650.459.740.366.833.2__l1 = l2 = l  lBảng 2: Kết quả đo Rx2R0 = 10 Lần đol1 (cm)l2 (cm)l1 =l2 =l1 =R0 = 20 l2 =R0 = 30 l1 (cm)l2 (cm)l1 (cm)l2 (cm)150.549.667.232.875.324.7250.149.967.232.874.525.5349.850.266.933.174.625.4450.149.967.033.074.925.149.650.467.432.675.224.85__l1 = l2 = l  lBảng 3: Kết quả đo Rx3R0 = 10 Lần đol1 (cm)l2 (cm)l1 =l2 =l1 =R0 = 20 l2 =R0 = 30 l1 (cm)l2 (cm)l1 (cm)l2 (cm)152.547.568.731.376.723.3252.547.568.731.376.723.3352.547.568.731.376.723.3452.547.568.731.376.723.352.547.568.731.376.723.35_R0 = 200 _l  ll1 =l2 =l1 =δRo = 1%l2 =l1 =l2 =Ngày …… tháng …… năm ………Xác nhận của giáo viên hướng dẫn thí nghiệm5 Bài thí nghiệm số 10 – Nhóm 10NGHIÊN CỨU CÁC ĐẶC TUYẾN TĨNH CỦA TRANSISTORI. MỤC ĐÍCH THÍ NGHIỆM- Vẽ các đặc tuyến tĩnh của transistor, xác định hệ số khuếch đại của transistorII. CƠ SỞ LÝ THUYẾT1. Cấu tạo, ký hiệu, nguyên lý làm việc của transistor- Bán dẫn là những chất có điện trở suất lớn hơn của kim loại nhưng nhỏ hơn của điện môi, thànhphần hạt mang điện bao gồm electron và lỗ trống. Bán dẫn pha tạp là chất bán dẫn được pha lẫnmột ít tạp chất. Tuỳ vào chất pha tạp và nồng độ pha tạp mà độ dẫn điện của bán dẫn tăng lênhàng vạn, hàng triệu lần. Bán dẫn pha tạp được chia thành hai loại: loại p (positive), loại n(negative). Bán dẫn loại p có thành phần hạt mang điện cơ bản là lỗ trống, loại n có thành phầnmang điện cơ bản là electron.- Transistor là dụng cụ bán dẫn được cấu tạo từCba phần có tính dẫn điện khác nhau. Nếu phần ởCBp n pgiữa là bán dẫn loại p thì hai bên là bán dẫn loại a. En (ta có transistor NPN), nếu phần ở giữa là bánBEdẫn loại n thì hai bên là bán dẫn loại p (ta cóCtransistor PNP). Transistor có 3 miền bán dẫn:emitơ, bazơ, colector. Theo thói quen ta thường b. ECBn p ngọi transistor loại PNP là phân cực thuận, NPNBElà phân cực ngược. Khi vẽ transistor ta cần chú ýđến ký hiệu mũi tên của nó để phân biệt hai loại Hình 1. Cấu tạo, ký hiệu của các loại transistora. Transistor loại PNP (thuận)transistor.b. Transistor loại NPN (nghịch)- Miền emitor là miền có nồng độ tạp chất lớnnhất, điện cực nối với miền này gọi là điện cực E (cực phát). Miền bazơ có nồng độ tạp chất nhỏnhất và bề dày rất nhỏ (cỡ m tới nm), điện cực nối với miền này gọi là B (cực gốc). Miềncolector có nồng độ tạp chất trung bình, điện cực nối với miền này là C (cực góp). Tiếp giáp p-ngiữa miền E và B gọi là tiếp giáp emitơ (JE), giữa miềnC và B gọi là tiếp giáp colector (JC).ICC- Để transistor làm việc ta phải dùng hai điện áp ngoàiđặt vào ba cực của nó, tức là phải phân cực cho nó. ỞPchế độ khuếch đại thì tiếp giáp emitơ JE phải được phânEtx+ +cực thuận để mở cho các hạt dẫn cơ bản xuất phát, cònJCtiếp giáp colector JC phải được phân cực ngược để tạoIB UCENđiện trường gia tốc cho các hạt dẫn cơ bản chạy đếnB+Etxcực C hình thành dịng điện chạy qua transistor.JE- Để phân tích nguyên lý làm việc ta lấy transistor PNP+ + +UBElàm ví dụ. Do JE phân cực thuận ở trạng thái mở, cáchạt cơ bản (lỗ trống) từ miền E chạy qua JE tạo nênPdòng emitor (IE), chúng tràn qua miền bazơ hướng tớiEJC. Trong quá trình khuếch tán một số lỗ trống bị táiIEhợp với các điện tử của miền B tạo nên dịng bazơ (IB).Hình 2. Minh hoạ ngun lý làm việc củaDo miền B được cấu tạo rất mỏng nên hầu hết các lỗtransistor PNP ở chế độ khuyếch đại-6 trống (hạt cơ bản của miền E) khuếch tán đến được bờ của JC và được điện trường gia tốc (do JCphân cực ngược) lôi kéo tràn qua miền C đến cực C tạo thành dòng colector (IC).- Mối quan hệ giữa các dòng điện trong transistor là:I E = I B + IC- Để đánh giá mức hao hụt dòng khuếch tán của các hạt cơ bản khi tràn qua miền B, người tađịnh nghĩa hệ số truyền đạt dòng điện của transistor:  = I C / I E . Hệ số  luôn bé hơn 1 và có giátrị gần bằng 1 đối với transistor tốt.- Để đánh giá tác dụng điều khiển của dòng IB tới dòng IC người ta định nghĩa hệ số khuếch đại Kcủa transistor khi mắc E chung:K=ICIB(hệ số khuếch đại K có giá trị từ vài chục đến vài trăm lần)- Ta có mối quan hệ  =KK +12. Ba cách mắc mạch transistor- Khi dùng transistor để khuếch đại, tín hiệu điện được đưa vào giữa hai điện cực và lấy ra cũngtừ hai điện cực. Trong đó điện cực nào được nối chung cho cả đầu vào và đầu ra là điện cựcchung. Về nguyên tắc cực nối chung phải được nối với đất về mặt điện xoay chiều để lấy nó làmnền so sánh giữa điện áp lối ra và điện áp lối vào. Có 3 cách mắc đó là: mắc emitơ chung, mắcbazơ chung, mắc colector chung.ICIBICIEUraUvµoIEUraIBIEIBUraUvµoIC(a)(b)(c)Hình 3. Ba cách mắc transistora. Mắc emitơ chungb. Mắc bazơ chungc. Mắc colector chungA3. Các họ đặc tuyến tĩnh của transistor- Khi tính tốn thiết kế mạch điện dùng transistor ta cần biết cácthông số kỹ thuật của transistor thông qua các đặc tuyến tĩnh của nó.Sau đây ta xét cụ thể trong cách mắc emitơ chung.- Có 3 họ đặt tuyến tĩnh của transistor: đặc tuyến tĩnh vào, đặc tuyếntĩnh ra, đặc tuyến tĩnh truyền đạt.a. Họ đặc tuyến tĩnh vào của transistor- Đặc tuyến tĩnh vào của transistor là đồ thị mơ tả sự phụ thuộc củadịng IB vào hiệu điện thế UBE khi hiệu điện thế UCE được giữ khôngđổi ( I B = f (U BE ) khi U CE = const ).40UCE=2V30IB20UCE=4V1000,20,4 0,6UBEVHình 4. Họ đặc tuyến tĩnh vàocủa transistor- Với mỗi giá trị không đổi của UCE ta sẽ có một đặc tuyến, các đặc tuyến này họp thành họ đặctuyến tĩnh vào của transistor. Các đặc tuyến có dạng như hình vẽ bên.7 Ab. Họ đặc tuyến tĩnh ra của transistor- Đặc tuyến tĩnh ra của transistor là đồ thị mô tảsự phụ thuộc của dòng điện IC và hiệu điện thểUCE khi dịng điện IB được giữ khơng đổi( IC = f (U CE ) khi I B = const ).IB=50A8UCE=4VICIB=40A6IB=30A4IB=20AUCE=1V- Với mỗi giá trị khơng đổi của IB ta sẽ có mộtđặc tuyến, các đặc tuyến này họp thành học đặctuyến tĩnh ra của transistor.2A 50 40 302010IB=10A01324VIBUCEc. Họ đặc tuyến tĩnh truyền đạt của transistorHình 5. Họ đặc tuyến tĩnh ra của transistor- Đặc tuyến tĩnh truyền đạt là đồ thị mơ tả sự phụthuộc của dịng điện IC vào IB khi UCE được giữ không đổi ( IC = f ( I B ) khi U CE = const ).- Với mỗi giá trị không đổi của IB ta sẽ có một đặc tuyến, các đặc tuyến này họp thành họ đặctuyến tĩnh ra của transistor.- Họ đặc tuyến tĩnh truyền đạt có thể được suy ra từ họ đặc tuyến tĩnh ra.III. DỤNG CỤ THÍ NGHIỆM1. Transistor trong bài sử dụng là transistor loại NPN có ký hiệu BD 138. Các cực E, B, C cóchân cắm thích hợp với bảng điện.2. Bảng điện DIN A là một bảng phẳng trên có các lỗ cắm dùng để thiết kế một mạch điện(panel). Trên bảng có các điểm giống nhau, mỗi điểm gồm nhiều lỗ cắm (9 lỗ) tiếp xúc điệnvới nhau, các điểm cách điện với nhau.3. Đồng hồ đo điện đa năng (2 chiếc)- Trong bài này ta sử dụng ở chức năng vôn kế hoặc ampe kế một chiều. Khi sử dụng các đồnghồ cần chú ý chọn giá trị thang đo hợp lý (dòng IB thường nhỏ, không vượt quá 50A)4. Nguồn điện một chiều- Nguồn cấp điện một chiều có hai lối ra. Một lối ra có hai cực +, − với hiệu điện thế cố định5V, một lối ra có các cực −, 0, + với hiệu điện thế có thể thay đổi được nhờ một triết áp và đượchiển thị trên một màn hình tinh thể lỏng.5. Các dụng cụ khác:- Điện trở 1k, biến trở có giá trị biến thiên từ 0 đến 220 nhờ một triết áp xoay vòng, các dâynối được coi có điện trở khơng đáng kể. Các dụng cụ này đều có chân cắm thích hợi với bảngđiện.IV. TIẾN HÀNH THÍ NGHIỆM1. Xác định đặc tuyến tĩnh vào của transistor81kIC++5V-+220- Mắc mạch điện theo sơ đồ hình 6. Một đồng hồ vạnnăng được sử dụng ở chức năng đo cường độ dòngđiện một chiều (ampe kế), một được sử dụng ở chứcnăng đo hiệu điện thế một chiều (vơn kế).- Cần chú ý dịng IB thường nhỏ (nhỏ hơn 50A,không được để vượt quá giá trị này), hiệu điện thếUBE được thay đổi nhờ biến trở 220, nó có giá trịtrong khoảng từ 0 đến 0,7V. Căn cứ vào các thơng sốAIBV-Hình 6. Sơ đồ mạch điện xác định đặctuyến tĩnh vào của transistorIE o2. Xác định đặc tuyến tĩnh ra của transistor1kLối ra có điều khiểuUCE được hiển thịđó để chọn thang đo ở các đồng hồ cho hợp lý.- Hiệu điện thế UCE được giữ cố định 5V, thay đổi hiệu điện thế UBE bằng cách xoay triết áp củabiến trở 220 và xem giá trị trên vôn kế. Đặt các+Agiá trị UBE như trong bảng 1, ghi các giá trị IB tươngứng. Lặp lại phép đo 3 lần và kết quả được ghi vàoIbảng 1.+++CAIB5V-220I- Mắc mạch theo sơ đồ hình 7. Trong phần này tasử dụng cả hai nguồn điện. Hai đồng hồ vạn năngđều được sử dụng ở chức năng đo cường độ dịngHình 7. Sơ đồ mạch điện xác định đặcđiện một chiều (ampe kế).tuyến tĩnh ra của transistor- Cần chú ý dòng IB thường nhỏ (nhỏ hơn 50A,khơng được để vượt q giá trị này), dịng IC cỡ mA, hiệu điện thế UCE được cho biến đổi từ 0đến 2,5V. Ta tiến hành xác định 3 đặc tuyến tĩnh ra của transistor với các giá trị 10A, 20A,30A của dòng IB.- Để tiến hành đo, đặt U CE = 3V , đặt I B = 10  A bằng cách xoay triết áp của biển trở 220. GhiEgiá trị của IC. Sau đó giảm UCE lần lượt đến các giá trị như trong bảng 2 và ghi các giá trị ICtương ứng. Lặp lại phép đo 3 lần. Làm tương tự với các giá trị khác của IB, kết quả được ghi vàobảng 2.- Chú ý: khi thay đổi UCE tới giá trị nhỏ thì dịng IB sẽ tăng lên, khi đó ta phải xoay triết áp của+biến trở 220 để giữ khơng đổi IB, sau đó mới đọcAIC).-1k- Mắc mạch điện theo sơ đồ hình 8. Trong phần nàyta chỉ sử dụng nguồn điện 5V cố định. Hai đồng hồvạn năng đều được sử dụng ở chức năng đo cườngđộ dòng điện một chiều (ampe kế).- Giữ không đổi U CE = 5 V, thay đổi IB lần lượt cácgiá trị như trong bảng 3, ghi các giá trị IC tương ứng.Lặp lại phép đo 3 lần, kết quả được ghi vào bảng 3.+IC+5V-AIB2203. Xác định đặc tuyến tĩnh truyền đạtIEHình 8. Sơ đồ mạch điện xác định đặctuyến tĩnh truyền đạt của transistorV. NỘI DUNG CẦN BÁO CÁO- Báo cáo thí nghiệm được viết theo các phần sau:I. Mục đích thí nghiệm- Trình bày ngắn gọn mục đích của bài thí nghiệm.II. Cơ sở lý thuyết- Trình bày sơ lược về cấu tạo, phân loại transistor.- Trình bày sơ lược về các họ đặc tuyến tĩnh của transistor.III. Kết quả thực nghiệm- Trình bày theo các mục như trong phần thí nghiệm.- Trong mỗi phần, nêu sơ lược cách đo, bảng số liệu, tính các giá trị đo được. Từ bảng sốliệu tính tốn được vẽ đặc tuyến tĩnh, nhận xét (các đồ thị phải được vẽ rõ ràng, vẽ bằngtay trên giấy vẽ đồ thị hoặc vẽ trên máy tính. Đồ thị được trình bày đúng thứ tự của từngphần).9 - Trong phần 3, sau khi vẽ xong được tuyến tĩnh truyền đạt và nhận xét, xác định hệ sốkhuếch đại của transistor (với các số liệu đã đo được ở bảng 3). Trong phần này lưu ýcách lấy sai số của các giá trị IB. Với mỗi cặp giá trị của IB và IC ta tính được một giá trịcủa K và viết dưới dạng K = K  K , với 5 cặp giá trị như trên ta tính được 5 giá trị củaK. Lấy trung bình cộng các giá trị đó ta sẽ được kết quả cuối cùng của phép đo viết songsong dưới hai dạng K = K  K ; K = K   % .IV. Nhận xét- Nhận xét các kết quả thí nghiệm, nêu nguyên nhân dẫn đến sai số.- Ý kiến đề nghị để bài thí nghiệm được tốt hơn (nếu có).Lưu ý:- Bảng kết quả thực nghiệm phải được xác nhận của giáo viên hướng dẫn thí nghiệm, nó phảiđược ghi rõ ràng, khơng tẩy xố (có thể ghi nháp trước, khi nào thấy kết quả hợp lý, chắc chắnmới ghi vào bảng). Bảng kết quả này sẽ phải đóng vào cuối của báo cáo thí nghiệm.10 BẢNG KẾT QUẢ THỰC NGHIỆM – NHĨM 10Bài thí nghiệm số 10NGHIÊN CỨU CÁC ĐẶC TUYẾN TĨNH CỦA TRANSISTORHọ tên sinh viên: .................................................. Mã số SV: ................ Lớp:.........Những người làm cùng: 1 ........................................................................................2 .........................................................................................3 .........................................................................................Bảng 1. Kết quả đo IB theo các giá trị của UBE tương ứng trong bảng, đơn vị V ( U CE = 5 V)Lần đo0,000,200,400,500,550,600,650,70100023816362000239163630002381637I B  I BIB = IB = IB =IB =IB = IB =IB =IB =Bảng 2. Kết quả đo IC với các giá trị của UCE (V) ( I B = 10A , IB = 20A , IB = 30A )I B Lần đo100,00,10,20,30,40,51,02,510.000.601.151.051.051.101.101.2020.000.651.051.151.051.051.051.1030.000.651.101.151.101.051.051.10I C  I C20 IC =IC = IC =IC = IC = IC =IC =10.001.152.252.252.252.152.302.1520.001.152.252.202.152.302.202.2530.001.102.152.202.252.152.252.20I C  I C30IC =IC = IC =IC = IC =IC = IC = IC =IC =10.001.603.353.253.353.353.403.4020.001.603.253.303.353.253.403.3030.001.603.303.253.303.303.303.40I C  I C I C = IC =IC = IC =IC = IC = IC =IC =Bảng 3. Kết quả đo IC theo các giá trị của IB trong bảng, đơn vị A ( U CE = 5 V)Lần đo102030405011.202.253.304.355.5521.152.153.354.405.5531.102.203.404.455.45I C  I CIC =IC =IC =IC =IC =Ngày …… tháng …… năm …………………Xác nhận của giáo viên hướng dẫn thí nghiệm11

Tài liệu liên quan

• xây dựng bài thí nghiệm thu phát am trên matlab simulink
  • 63
  • 1
  • 25
• xây dựng bài thí nghiệm thu phát AM trên matlab simulink
  • 31
  • 919
  • 23
• đồ án thiết kế cầu thép dầm i liên hợp
  • 118
  • 1
  • 8
• Các bài thí nghiệm của mr.Smith.N (5)
  • 8
  • 377
  • 0
• QUY CHUẨN KỸ THUẬT QUỐC GIA VỀ ĐIỆN TỪ TRƯỜNG TẦN SỐ CAO - MƯC CHO PHÉ P CƯỜNG ĐỘ ĐIỆN TỪ TRƯỜNG TẦN SỐ CAO TẠI NƠI LÀM VIỆC
  • 41
  • 350
  • 0
• Tình hình mắc bệnh viêm tử cung trên đàn lợn nái tại trại Nguyễn Xuân Dũng, xã Khánh Thượng huyện Ba Vì thành phố Hà Nội và thử nghiệm phác đồ điều trị
  • 64
  • 221
  • 0
• Một vài kinh nghiệm về việc vận dụng sáng tạo những giải pháp trong công tác thi đua – khen thưởng
  • 35
  • 284
  • 0
• Phát triển năng lực tự học cho học sinh trong dạy học nhóm chương chất khí vật lí 10 THPT với thí nghiệm tự tạo (tt)
  • 16
  • 240
  • 0
• 10 BÀI HỌC CỔ ĐIỂN TRONG QUẢNG CÁO
  • 10
  • 111
  • 0
• Thiết kế và sử dụng một số thí nghiệm để dạy học kiến thức phần sinh học tế bào – sinh học 10 – THPT
  • 94
  • 151
  • 0

Tài liệu bạn tìm kiếm đã sẵn sàng tải về

(683.42 KB - 11 trang) - Bài thí nghiệm số 7 đo ĐIỆN TRỞ BẰNG CẦU WHEATSTONE Tải bản đầy đủ ngay ×