Đặc Tuyến V-i Của Transistor. By OpenStax (Page 3/7) | Jobilize

Đó là công thức lý tưởng mà ta đã thấy ở phần trên. Ngoài ta, từ phương trình dòng điện căn bản:

IE = IB + IC

Suy ra, IC = DC(IC + IB) + ICBO

IC = DCIC + DC IB + ICBO

Ta tìm thấy:

I C = α DC 1 − α DC I B + I CBO 1 − α DC size 12{I rSub { size 8{C} } = { {α rSub { size 8{ ital "DC"} } } over {1 - α rSub { size 8{ ital "DC"} } } } I rSub { size 8{B} } + { {I rSub { size 8{ ital "CBO"} } } over {1 - α rSub { size 8{ ital "DC"} } } } } {}

Nhưng: β DC = α DC 1 − α DC size 12{β rSub { size 8{ ital "DC"} } = { {α rSub { size 8{ ital "DC"} } } over {1 - α rSub { size 8{ ital "DC"} } } } } {}  1 + β DC = α DC 1 − α DC + 1 size 12{1+β rSub { size 8{ ital "DC"} } = { {α rSub { size 8{ ital "DC"} } } over {1 - α rSub { size 8{ ital "DC"} } } } +1} {}

1 + β DC = α DC + 1 − α DC 1 − α DC = 1 1 − α DC size 12{1+β rSub { size 8{ ital "DC"} } = { {α rSub { size 8{ ital "DC"} } +1 - α rSub { size 8{ ital "DC"} } } over {1 - α rSub { size 8{ ital "DC"} } } } = { {1} over {1 - α rSub { size 8{ ital "DC"} } } } } {}

Thay vào phương trình trên, ta tìm được:

IC = DCIB + (DC + 1)ICBO

Người ta đặt: ICEO = (DC + 1)ICBO và phương trình trên được viết lại:

IC = DCIB + ICEO

RCHình 8ICEOVCCIB = 0Cực nền hởICEOCurrent (dòng điện)Emitter (cực phát)Openbase (cực nền hở)Collector (cực thu)Như vậy, ta có thể hiểu dòng điện rỉ ICEO như là dòng điện chạy từ cực C qua cực E của transistor khi cực B để hở. Trị số của ICEO cũng được nhà sản xuất cho biết.

Các thông số DC, DC, ICBO, ICEO rất nhạy với nhiệt độ.

Đặc tuyến v-i của transistor.

Người ta thường chú ý đến 3 loại đặc tuyến của transistor:

• Đặc tuyến ngõ vào.
• Đặc tuyến ngõ ra
• Đặc tuyến truyền

I1I2BJTV2V1Ngõ ra V22V11 Ngõ vàoR1R2Hình 9Mạch tổng quát để xác định 3 đặc tuyến trên được biểu diễn bằng mô hình sau:

Điểm cần chú ý: tuỳ theo loại transistor và các cách ráp mà nguồn V11, V22 phải mắc đúng cực (sao cho nối thu nền phân cực nghịch và nối phát nền phân cực thuận). Các Ampe kế I1, I2, các volt kế V1 và V2 cũng phải mắc đúng chiều.

Chúng ta khảo sát hai cách mắc căn bản:L

Mắc theo kiểu cực nền chung:

Mạch điện như sau:

I1I2V2V1VCCVEERERCHình 10IEIC++VBEVCB++

Đặc tuyến ngõ vào (input curves).

VCB = 20VVCB = 10VVCB = 01VVCB = 00VVCB để hở0,6VBE (Volt)0,40,2IE (mA)0Hình 11Là đặc tuyến biểu diễn sự thay đổi của dòng điện IE theo điện thế ngõ vào VBE với VCB được chọn làm thông số.

Đặc tuyến có dạng như sau:

Nhận xét:

• Khi nối thu nền để hở, đặc tuyến có dạng như đặc tuyến của diode khi phân cực thuận.
• Điện thế ngưỡng (knee voltage) của đặc tuyến giảm khi VCB tăng.

Đặc tuyến ngõ ra (output curves)

Là đặc tuyến biểu diễn sự thay đổi của dòng điện cực thu IC theo điện thế thu nền VCB với dòng điện cực phát IE làm thông số.

Đặc tuyến có dạng như sau: Ta chú ý đến ba vùng hoạt động của transistor.

Vùng tác động: Nối nền phát phân cực thuận, nối thu nền phân cực nghịch. Trong vùng này đặc tuyến là những đường thẳng song song và cách đều. Trong các ứng dụng thông thường, transistor được phân cực trong vùng tác động.

01234562468IE= 0mA1 mA2 mA3 mA4 mA5 mA6 mAVCB (V)IC (mA)Vùng ngưngVùng tác độngVùng bão hòaHình 12ICBO

Vùng ngưng: nối nền phát phân cực nghịch (IE=0), nối thu nền phân cực nghịch. Trong vùng này transistor không hoạt động.

Vùng bảo hoà: nối phát nền phân cực thuận, nối thu nền phân cực thuận. Trong các ứng dụng đặc biệt, transistor mới được phân cực trong vùng này.

Mắc theo kiểu cực phát chung.

+I1I2V2V1VCCVBBRBRCHình 13IBIC+VBEVCB++Đây là cách mắc thông dụng nhất trong các ứng dụng của transistor. Mạch điện như sau:

Đặc tuyến ngõ vào:

IB (A)0VBE (V)0,20,40,60,8VCE = 0VVCE = 1VVCE = 10V20406080100Hình 14Biểu diễn sự thay đổi của dòng điện IB theo điện thế ngõ vào VBE. Trong đó hiệu thế thu phát VCE chọn làm thông số.

Đặc tuyến như sau:

Đặc tuyến ngõ ra:

Biểu diễn dòng điện cực thu IC theo điện thế ngõ ra VCE với dòng điện ngõ vào IB được chọn làm thông số.