Đặc Tuyến Von-ampe Và Các Thông Số Cơ Bản Của Diode

- Có được lòng yêu nghề, say mê tìm hiểu các kiến thức trong lĩnh vực điện tử.

c) Chất dẫn điện

3.2. Đặc tuyến Von-ampe và các thông số cơ bản của Diode

Điốt bán dẫn có cấu tạo là một chuyển tiếp p-n với hai điện cực nối ra phía miền p là anốt, phía miền n là katốt.

Đặc tuyến Von - Ampe của điôt bán dẫn

Nối tiếp điốt bán dẫn với 1 nguồn điện áp ngoài qua 1 điện trở hạn chế dòng, biến đổi cường độ và chiều của điện áp ngoài, người ta thu được đặc tuyến Von-Ampe của điốt có dạng như hình vẽ. Đây là 1 đường cong có dạng phức tạp, chia làm 3 vùng rõ rệt: Vùng (1) ứng với trường hợp phân cực thuận vùng (2) tương ứng với trường hợp phân cực ngược và vùng (3) được gọi là vùng đánh thủng tiếp xúc p-n.

Qua việc phân tích đặc tính Von-Ampe giữa lí thuyết và thực tế người ta rút được các kết luận chủ yếu sau:

- Tại vùng mở (phân cực thuận): UT và Is có phụ thuộc vào nhiệt độ nên dạng đường cong phụ thuộc vào nhiệt độ với hệ số nhiệt được xác định bởi đạo hàm riêng UAK theo nhiệt độ. nghĩa là khi giữ cho đòng điện thuận qua van không đổi, điện áp thuận giảm tỉ lệ theo nhiệt độ với tốc độ -2mV/K.

- Tại vùng khóa (phân cực ngược) giá trị dòng bão hòa Is nhỏ (10-12 A/cm2 với Si và 10-6A/cm2 với Ge và phụ thuộc mạnh vào nhiệt độ với mức độ +10% giá trị / 0k:

∆Is (∆T = 100K) = Is tức là đòng điện ngược tăng gấp đôi khi gia số nhiệt độ tăng 100C - Các kết luận vừa nêu đối với Is và UAK chỉ rõ hoạt động của điôt bán dẫn phụ thuộc mạnh vào nhiệt độ và trong thực tế các mạch điện tử có sử dụng tới điốt bán dẫn hoặc tranzito sau này, người ta cần có nhiều biện pháp nghiêm ngặt để duy trì sự ổn định của chúng khi làm việc, chống (bù) lại các nguyên nhân kể trên do nhiệt độ gây ra.

- Tại vùng đánh thủng (khi UAK < 0 và có trị số đủ lớn) dòng điện ngược tăng đột ngột trong khi điện áp giữa anốtvà katốt không tăng. Tính chất van của điốt khi đó bị phá hoại. Tồn tại hai đang đánh thủng chính:

+ Đánh thủng vì nhiệt do tiếp xúc p-n bị nung nóng cục bộ, vì va chạm của hạt thiểu số được gia tốc trong trường mạnh. Điều này dẫn tới quá trình sinh hạt ồ ạt (ion hóa nguyên tử chất bán dẫn thuần, có tính chất thác lũ) làm nhiệt độ nơi tiếp xúc tiếp tục tăng. Dòng điện ngược tăng đột biến và mặt ghép p-n bị phá hỏng. + Đánh thủng vì điện do hai hiệu ứng: ion hóa do va chạm giữa hạt thiểu số được gia tốc trong trường mạnh cỡ 105V/cm với nguyên tử của chất bán dẫn thuần thường xảy ra ở các mặt ghép p-n rộng (hiệu ứng Zener) và hiệu ứng xuyên hầm (Tuner) xảy ra ở các tiếp xúc p-n hẹp do pha tạp chất với nồng độ cao liên quan tới hiện tượng nhảy mức trực tiếp của điện tử hóa trị bên bán dẫn p xuyên qua rào thế tiếp xúc sang vùng dẫn bên bán dẫn n.