Giới Thiệu Cơ Bản Về Công Nghệ IGBT

IGBT, bóng bán dẫn lưỡng cực cổng cách điện, là một thiết bị bao gồm MOSFET (giai đoạn đầu vào) và bóng bán dẫn PNP (giai đoạn đầu ra). Nó có các đặc tính của công suất lái nhỏ và tốc độ chuyển mạch nhanh của thiết bị MOSFET (điều khiển) và đáp ứng), có các thiết bị lưỡng cực với điện áp bão hòa giảm và công suất lớn (mức công suất bền hơn), đặc tính tần số giữa MOSFET và bóng bán dẫn điện , có thể hoạt động bình thường trong dải tần số hàng chục kHz.

Mạch tương đương lý tưởng và mạch tương đương thực tế như được hiển thị:

Các đặc tính tĩnh của IGBT thường không được sử dụng và hiện tại, các đặc tính động (đặc tính chuyển mạch) chủ yếu được xem xét.

Một quy trình dễ dàng cho các tính năng động có sẵn trong các bảng và biểu đồ bên dưới:

Quá trình bật IGBT

IGBT được chia thành nhiều giai đoạn trong quá trình bật.

1. Quá trình bật tương tự như MOSFET cũng được chia thành ba phần thời gian sạc.

2. Chỉ trong giai đoạn sau của quá trình giảm điện áp DS nguồn thoát, bóng bán dẫn PNP thêm thời gian trễ từ vùng khuếch đại đến quá trình bão hòa.

Trong bảng trên, định nghĩa là: bật thời gian bật, thời gian tăng Tr và Tr.i

Ngoài hai lần này, còn có một thời gian khác cho thời gian trễ bật tắt td.on: td.on = Ton-Tr.i

IGBT đang trong quá trình tắt máy

Trong quá trình tắt IGBT, dạng sóng của dòng thoát trở thành hai phân đoạn.

Ứng dụng các thiết bị điện trong thiết kế tiết kiệm năng lượng xanh [IGBT, MOSFET]

Thiết bị điện là thành phần cốt lõi của công nghệ điện tử công suất, đặc biệt là các mô đun IGBT và thiết bị MOSFET được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị công nghiệp, điện tử ô tô, thiết bị gia dụng và các lĩnh vực khác, giúp tiết kiệm năng lượng trong các lĩnh vực này. Trong trường hợp thế giới cần bảo tồn năng lượng, tầm quan trọng của các thiết bị điện sẽ tăng lên và triển vọng phát triển sẽ sáng sủa hơn. Chủ đề này cung cấp cho bạn thông tin mới nhất về các thiết bị điện và giải pháp thiết kế tiết kiệm năng lượng trong các lĩnh vực ứng dụng chính của chúng.

Về thiết kế mạch bảo vệ IGBT phải biết vấn đề

Tóm tắt: Các vấn đề về bảo vệ quá dòng, bảo vệ quá áp và bảo vệ quá nhiệt của IGBT được thảo luận toàn diện. Phương pháp bảo vệ khác nhau được tóm tắt từ các ứng dụng thực tế. Những phương pháp này có tính thực tế mạnh mẽ và hiệu quả bảo vệ tốt.

1. Giới thiệu

IGBT (Transitor Gate Bipolar Transitor) là một loại thiết bị điện tử công suất mới sử dụng MOS để điều khiển bóng bán dẫn. Nó có các đặc tính của điện áp cao, dòng điện lớn, tần số cao, điện trở nhỏ, v.v., vì vậy nó được sử dụng rộng rãi trong các mạch biến tần. Tuy nhiên, do điện trở quá dòng và điện áp quá cao của IGBT, nó có thể bị hỏng trong trường hợp xảy ra tai nạn. Để kết thúc này, cần phải bảo vệ IGBT. Bài viết này tóm tắt các vấn đề liên quan đến bảo vệ quá dòng, quá áp và quá nhiệt và các phương pháp bảo vệ khác nhau từ các ứng dụng thực tế. Nó có tính thực tế mạnh mẽ và hiệu quả ứng dụng tốt.