I. Phân Tích Phổ Nhiễu Xạ Tia - Tài Liệu Text - 123doc

1. Trang chủ >
2. Luận Văn - Báo Cáo >
3. Khoa học tự nhiên >

I. Phân tích phổ nhiễu xạ tia

Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (1.94 MB, 56 trang )

Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdScấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phânKích thước tinh thể:Từ phổ nhiễu xạ tia X, ta có thể tính kích thước tinh thể d dựa theocông thức Debye-Scherrer:d = 0,9 .λ/ (B. cosθ)(II.10)Trong đó:λ - bước sóng tia nhiễu xạ ( A )0B - độ rộng của một nửa peak chính ( rad)θ - góc nhiễu xạd - kích thước tinh thể.Từ phổ XRD của các mẫu qua phân tích thu được các số liệu và dựa vàocông thức Debye-Scherrer (II.10) nêu trên ta tính ra được kích thước hạt tinhthể như trình bày ở bảng III.1. Từ bảng III.1 ta có thể kết luận rằng tất cả cácmàng đều kết tinh với kích thước hạt tinh thể từ 11.7 đến 16 nm.28Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdScấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân350250oC300250200150100500300300oC(ê n g ­®aé .­u )2502001501005001200350oC1000C­8006004002000400oC600400200020304050602θ (ο)Hình III.1: Phổ XRD của màng CdS lắng đọng ở các nhiệt độ đế khác nhauTs= 250 oC, 300 oC, 350 oC, 400 oC; thời gian phun ts=5 phút.29Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdScấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân1200101C­ êng­®é­(a.u)1000800350oC100002110600103400112102200020304050602θ(ο)Hình III.2: Phổ XRD của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ Ts= 350 oC ; thờigian phun ts=5 phút.Bảng III.1: Danh sách đỉnh nhiễu xạ của tinh thể CdS cấu trúc HexagonalNo.123456789101112hkl100002101102110103200112201004202104d [A]3.586103.359903.163802.451902.070501.899801.793101.762701.732501.679901.581901.52130302Theta[deg]24.80826.50728.18336.62143.68247.84050.88351.82552.79854.58658.28060.841I [%]62.091.0100.029.048.050.08.031.015.05.03.03.0Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdScấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phânBảng III.2: Kích thước hạt tinh thể tính thể lắng đọng tại các nhiệt độ đế 250oC, 300 oC, 350 oC, 400 oC (tính theo công thức Scherrer-công thức II.10)Ts (oC)2θ (o)cosθ∆[2θ](o)∆[2θ]d (Å)(ra)25026.525 0.973330.6970.01216116.930026.550.97320.5190.00905164.40826.520.973340.5130.00895158.926.511 0.973360.5010.00874162.73500400II. Nghiên cứu hình thái cấu trúc bề mặtHình thái bề mặt của màng CdS lắng đọng ở các nhiệt độ đế khác nhauđược khảo sát bằng phương pháp hiển vi điện tử quét (SEM) đo tại ViệnKhoa Học Vật Liệu – Viện Khoa Học Việt Nam. Hình III.3, III.4, III.5, III.6trình bày các ảnh SEM của các màng lắng đọng tại các nhiệt độ đế T s= 250oC, 300o C, 350o C, 400 oC. Từ các ảnh đó ta dễ dàng nhận thấy rằng khi nhiệtđộ lắng đọng tăng, độ kết tinh của màng tăng lên. Ở nhiệt độ T s = 350 oC,màng có độ kết tinh tốt nhất với các hạt có kích thước cỡ 50 nm. Kết hợp vớikết quả tính kích thước hạt theo công thức II.10 từ phổ XDR, cỡ 16 nm, cóthể kết luận rằng mỗi hạt quan sát trên ảnh SEM có thể là một cụm vài đơntinh thể liên kết với nhau. Ảnh SEM của màng lắng đọng tại nhiệt độ đế là400 oC cho thấy màng bắt đầu có sự nóng chảy cục bộ, hình thành các hạtkích thước lớn cỡ micromet bên cạnh các hạt có kích thước cỡ 50nm (hìnhIII.6 (a) và (b)).Hình III.7, III.8, III.9, III.10, III.11 và III.12 trình bày ảnh bề mặt của cácmàng chế tạo tại nhiệt độ đế 350 oC, với các thời gian phun khác nhau từ 1, 2,31Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdScấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân3, 5, 7 và 10 phút. Ta nhận thấy rằng, với mẫu màng có thời gian phun là 1phút, màng có lớp bề mặt xốp, đứt đoạn, hình tổ ong do màng quá mỏng. Độdày của màng có thể tăng bằng cách tăng thời gian phun. Khi thời gian phuntăng lên 2, 3 phút, bề mặt màng trở lên mịn hơn và với màng có thời gianphun là 5 phút, màng gồm các hạt tinh thể cỡ dưới 50 nano mét xếp chặt.Trong nhiều công trình đã công bố, khi bề dày của màng tăng lên thì kíchthước hạt tăng. Điều này được chứng minh rõ trên hình III.11 và III.12. Khithời gian phun màng tăng lên 7 và 10 phút, các hạt lớn dần lên, thậm chí pháttriển thành các rod có kích thước cỡ micromet.32Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdScấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phânHình III.3: Ảnh SEM của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=250 oC, thờigian phun ts=5 phút.Hình III.4: Ảnh SEM của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=300 oC, thờigian phun ts=5 phút.33Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdScấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phânHình III.5: Ảnh SEM của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=350 oC, thờigian phun ts=5 phút.a)Hình III.6(a): Ảnh SEM của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=400oC,thời gian phun ts=5 phút.34Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdScấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phânb)Hình III.6(b): Ảnh SEM của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=400oC,thời gian phun ts=5 phút.a)Hình III.7(a): Ảnh SEM của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=350 oC,thời gian phun ts=1 phút.35Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdScấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phânb)Hình III.7(b): Ảnh SEM của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=350 oC,thời gian phun ts=1 phút.Hình III.8: Ảnh SEM của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=350 oC, thờigian phun ts=2 phút.36Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdScấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phânHình III.9: Ảnh SEM của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=350 oC, thờigian phun ts= 3 phút .Hình III.10: Ảnh SEM của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=350 oC, thờigian phun ts= 5 phút .37Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdScấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phâna)Hình III.11 (a): Ảnh SEM của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=350 oC,thời gian phun ts= 7 phút.b)Hình III.11 (b): Ảnh SEM của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=350 oC,thời gian phun ts= 7 phút.38Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48

Xem Thêm

Tài liệu liên quan

• Nghiên cứu Chế tạo và một số tính chất của màng mỏng cds cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân
  • 56
  • 996
  • 6
• Boi_chung_nho_nhat-Moi_nhat
  • 9
  • 92
  • 0
• DICTIONARY-WORKSHOP
  • 3
  • 153
  • 1
• đề và đáp án môn sử - cao đẳng 2009
  • 4
  • 320
  • 0
• DICTIONARY-INJURE
  • 2
  • 232
  • 0
• DICTIONARY-OFFICE
  • 2
  • 214
  • 0
• DICTIONARY-BIKE
  • 2
  • 190
  • 0
• DICTIONARY-CAR
  • 3
  • 264
  • 5
• -DICTIONARY-CONSTRUCTION
  • 2
  • 179
  • 1

Tải bản đầy đủ (.doc) (56 trang)

Tài liệu bạn tìm kiếm đã sẵn sàng tải về

(4.28 MB) - Nghiên cứu Chế tạo và một số tính chất của màng mỏng cds cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân-56 (trang) Tải bản đầy đủ ngay ×