[PDF] PHÁT XẠ NHIỆT ĐIỆN TỬ

Search

• Categories
• Top Downloads
• Login
• Register
Search

• Home
• Phương trình phát xạ nhiệt điện tử của kim loại. Định luật Richardson

Phương trình phát xạ nhiệt điện tử của kim loại. Định luật Richardson May 18, 2018 | Author: Anonymous | Category: N/A DOWNLOAD PDF Share Embed Report this link

Short Description

Download Phương trình phát xạ nhiệt điện tử của kim loại. Định luật Richardson...

Description

PHÁT XẠ NHIỆT ĐIỆN TỬ PHẠM THANH TÂM • Dịch tiếng anh chuyên nghành trực tuyến: http://www.mientayvn.com/dich_tieng_anh_chu yen_nghanh.html • Học liệu mở: http://www.mientayvn.com/OCW/MIT/Vat_li.ht ml NỘI DUNG TRÌNH BÀY:  GIỚI THIỆU  LÝ THUYẾT  Lực ảnh điện của Schottky:  Phương trình phát xạ nhiệt điện tử của kim loại. Định luật Richardson  Sự phân bố theo vận tốc của nhiệt điện tử phát xạ  Ảnh hưởng của trường đối với dòng phát xạ  Ảnh hưởng điện tích không gian với dòng phát xạ 1. GIỚI THIỆU Năm 1873: Frederick Guthrie (Anh): khi đang làm việc với các quả cầu điện tích ông phát hiện ra rằng: Quả cầu sắt mang điện tích âm khi nung nóng sẽ mất điện tích của chúng (bằng cách nào đó chúng đã bay vào không gian) Hiệu ứng trên đã được phát hiện lại vào ngày 13-02-1880 bởi Thomas Edison trong khi đang cố tìm lý giải nguyên nhân làm cho giá đỡ của sợi dây tóc bóng đèn lại lai bị cháy đen + Ông cho lá kim loại tích điện âm hơn sợi dây  không có dòng do phát xạ của lá kim loại rất thấp + Tiến hành ngược lại  xuất hiện dòng điện từ sợi dây đến lá kim loại + Ông thấy rằng dòng càng tăng khi tăng điện thế Hiệu ứng Edison 1911: nhà vật lý người anh Owen Willans Richardson đã giải thích được hiện tượng trên và nhận giải Nobel vào năm 1928 J  A0 DT e 2  0 kT 0  W   F 4 mek2 A 4 A0   120.10 h3 m2 .ñoä  Hằng số Richardson 2 thông số quan trọng trong việc phát xạ nhiệt của cathode là: + Năng lượng làm việc W ( thấp nhất có thể) + Nhiệt độ cathode Ta (4.1eV, 2680K), W(4.5eV, 2860K) Cesium (2eV, 320K), BaO có tính chất tốt hơn (1eV; 1000K) dùng để phủ lên bề mặt 2. LÝ THUYẾT  Lực ảnh điện của Schottky (mirror-image force): + Kim loại chứa khoảng 1023 điện tử /cm3 + Schottky thấy rằng có một lực tại bề mặt ngăn cản e bay ra khỏi kim loại 2 e F 2 4x (CGS) + Schottky giả thiết 2 lớp điện đó như một tụ điện phẳng có khoảng cách a Bề mặt - + x x + Khi đó, cường độ trường có thể xem như là không đổi trong khoảng cách từ 0 đến a 2 F e2 4a 2 e F 2 4a e2 4x2 + Công của điện tử cần để thoát khỏi điện tử 0  a a  e2 e2 e2 e2 e2 W0   Fdx   2 dx   2 dx  2  2  2 4a 4x 4a 4a 2a 0 0 a + Chỉ có những điện tử nào có động năng vượt qua rào thế trên mới có thể thoát khỏi kim loại mv 2  W0 2 a , W0 : ? x  Phương trình phát xạ nhiệt điện tử của kim loại. Định luật Richardson 1 f (W )  (W  F ) + Phân bố Fermi-Dirac e kT 1  Xác suất lấp đầy của điện tử trong trạng thái có mức năng lượng W, với εF là năng lượng mức Fermi. Hàm phân bố theo vận tốc: 2m3 dvx dv y dvz dn(vx , v y , vz ,)= 3 W  F h e kT  1 Gọi vx là thành phần vận tốc có hướng vuông góc với bề mặt kim loại, thì số điện tử đập lên một đơn vị điện tích bề mặt trên một giây là: dvx dv y dvz 2m3 dnx (vx , vy , vz ,)= 3 vx  m 2 2 2  h  2 ( vx  v y  vz )  F    e kT 1  2m3 dnx (vx )= 3 vx dvx   h  dv y dvz m 2 2 2  ( v  v  v )   x y z F 2    kT e 1 Để tìm mật độ trạng thái theo vx, ta lấy tích phân 2 lớp biểu thức trên theo dvy và dvz từ -∞ đến +∞ v y   cos  vz   sin  v 2y  v Z2   2 ; dv y dvz   d  d    2 dv y dvz m 2 2 2  ( v  v  v )   x y z F    2 kT e   d  0 1  d  m 2 2  ( v   )   x F  0  2 kT e  2 kT dy  m 0 e   y  1 Ta tiếp tục đặt Z  e  y  dZ  e  y dy m 2 kT y  d   dy 2kT m 1  Wx   F kT mvx2 Wx  2 2 kT m   dy 2 kT  0 e  y  1 m   e  dZ 2 kT Z 2 kT e  ln  ln  Z ( Z  1) m Z  1 e m e 1 2 kT ln(1  e  ) m W   x F 2 kT  ln(1  e kT ) m   Kết quả ta có:    e Thế vào:  2 kT  ln(1  e m dv y dvz m 2 2 2   2 ( vx  v y  vz )  F    kT 1  2m3 dnx (vx )= 3 vx dvx   h  ) dv y dvz e Ta được: Wx  F kT m 2 2 2   2 ( vx  v y  vz )  F    kT  4 mkT dN (Wx )= ln(1  e 3 h Wx  F kT 1 )dWx Đây chính là số điện tử có năng lượng từ Wx đến Wx+dWx từ trong kim loại đi đến một đơn vị diện tích bề mặt trên một giây theo hướng x vuông góc với bề mặt Do vậy mật độ dòng phát xạ  J  De  dN (Wx ) W0 4 mekT D h3   ln(1  e  Wx  F kT )dWx W0 D Là trị trung bình của hệ số truyền qua 4 mek2 A 4 A0   120.10 2 3 h m .ñoä W0  F W0  F   ln 1  e kT  e kT   4 mekT J D h3   e  Wx  F kT 0  (W0   F ) dWx Là công thoát hiệu dụng W0 4 mek 2 2  D T e 3 h W0  F kT J  A0 DT e 2  phương trình Richardson 0 kT  Sự phân bố theo vận tốc của nhiệt điện tử phát xạ Mục đích: xác định vận tốc của chùm điện tử sau khi phát xạ phân bố như thế nào + Phân bố Fermi-Dirac 1 f (W )  e (W  F ) kT 1 Đối với những điện tử có vận tốc lớn thì ta có: W  W0 e W0  F kT e 1 Fermi-Dirac  Boltzmanm W F kT 1 F  F ( E)  ekT e  W kT W 2m3 kTF  kT dn(vx , vy , vz ,)= 3 e e dvx dv y dvz h Và số điện tử thoát ra khỏi kim loại bằng: m ( vx2  v 2y  vz2 ) F 3 2m kT  2 kT dn x (vx , v y , vz ,)=D 3 e vx e dvx dv y dvz h Gọi ux , uy , uz là các thành phần vận tốc của điện tử khi thoát khỏi kim loại: ' Khi đó chỉ có thành phần ux là thay đổi ux dux  vx dvx mux2 mvx2   W0 2 2 3 F 2m kT dnx '(u x , u y , u z ,)=D 3 e e h W  0 kT uxe  m ( u x2  u 2y  u z2 ) 2 kT du x du y du z  Ảnh hưởng của trường đối với dòng phát xạ F( x) FE ( x)  F ( x)  eE eE Công của lực điện tử để vượt qua lực cản xk A   FE ( x)dx FE ( x) b F( x) e2 FE ( x)  2  eE  0 4xk xk  1 e 2 E b xk   xk b b xk 0 A   ( F ( x)  eE)dx  0 xk  F ( x)dx   F ( x)dx   eEdx e2 A  A0   eExk  A0  e eE 4xk Công của điện tử phải chống lại lực cản của lực ảnh điện sẽ giảm một lượng: A  A0  A  e eE x Công thoát hiệu dụng khi có mặt điện trường ngoài là: E  0  A  0  e eE J E  A0 DT 2e  E kT  J 0e e eE kT log JE e e  E  ln     J0 k  T  Đối với diode phẳng ta có JE J0 T1 T2  T1 Vb E d T3  T2 JE e e  Vb    ln  J0 k d  T    Độ dốc của đường thẳng tỉ lệ nghịch với nhiệt độ Do vậy, nếu muốn dòng phát xạ nhiệt tăng ta có thể không cần nung nóng cathode quá cao mà chỉ cần tăng điện thế Vb lên. Điều này rất có lợi cho các cathode không chịu được nhiệt độ cao. Vb  Ảnh hưởng điện tích không gian với dòng phát xạ B  0 (0)  0 +-+ +-+ +-+ +-+ + K Điện tích không gian sẽ cảm ứng những điệnt tích dương với mật độ như nhau tại 2 điện cực  0 ( d)  0 + + + + + + + + + xm ε0(x) là hàm liên tục nên sẽ bằng 0 tại vị trí xm nào đó  0 ,V0 , eV0 eV0 ( x) x d A DTKG gây ra rào thế năng ngăn cản sự phát xạ của chúng DTKG tồn tại ngay cả khi đtrường ngoài εB=0  0 (0)  0 ( x) Vm  0 (d) V0 ( x) Khi đtrường ngoài εB ≠ 0: VB  ( x)    ( x)   B    ( x)  d VB V( x)  V ( x)  VB  V ( x)  x d   ( x) Cường độ điện trường của điện tích không gian V ( x) Thế của trường điện tích không gian B  0 (0)  0 Nếu đtrường ngoài là gia tốc điện tử thì trường tổng hợp ε(0) vẫn có thể âm, dương hoặc bằng 0 + + + + + + + + +  0 ( d)  0 + + + + + + + + + - K xm x d A  (0)  0  B  eV ( x) 0 d  ( x) VB d eVB d  ( x) A K d eV ( x) A K Chế độ dòng bão hòa  ( x) 0 eV ( x) d d eVB d  ( x) A - - K Chế độ giới hạn dòng điện A d xm x A   (0)   B j  js eV   ( x) 0 K -  (0)  0 eV ( x) V  B d + + + + + + + + + -  ( x) eV   ( x) V B  B d j  js  0 ( d)  0 - K   (0)   B  (0)  0  0 (0)  0 + + + + + + + + + khi ....VB eV VB d   ( x) 0 j  js   (0)   B  ( x) B  VB d 0 eV ( x) 0 d eV ( x) V B  B d  ( x) K eVB d A Chế độ dòng bão hòa K A Trường hợp  (0)  0 tương ứng với một giá trị V*B phân biệt VB thành 2 miền rõ rệt J Tính toán định lượng: V (r )  4 (r ) PT Poisson j (r )  v(r )  (r ) 1 2 mv (r )  eV (r ) 2 V (r )   Js PT mđ dòng Bảo toàn năng lượng 4 j (r )  2e    m V (r )   Đối với điện cực phẳng VB* 1 2 2 j 9  e   2m    1 2 3 VB 2 d2 Dạng của đường đặc trưng volt-Ampe của diod phẳng khi * Khi j = js thì VB  VB VB  VB* VB j Độ dốc của đường đặc trưng V-A đối với js cho trước sẽ giảm khi d tăng Hay với js cho trước thì V*B tăng khi d tăng d1 d2 (Tham khảo đối với điện cực hình trụ và hình cầu) VB*1 0 VB*2 VB KẾT LUẬN: + Lực ảnh điện schottky: để phát xạ, điện tử phải thực hiện một công A ≥ W0 + phương trinh Richardson: dòng phát xạ tỉ lệ thuận với bình phương nhiệt độ cung cấp cho cathode J  A0 DT e 2  0 kT + Dưới tác động của điện trường thi công cần thiết để điện tử phát xạ giảm đi một lượng, A  A0  A  e eE Tương ứng với dòng phát xạ tăng thêm một lượng J E  A0 DT 2e  E kT  J 0e e eE kT + Khi có điện tử phát xạ thì ngay lập tức sẽ có tường của điện tích không gian tác động làm cả trở dòng phát xạ đó + Khi trường ngoài cân băng với trường của điện tích không gian thì ta có dòng phát xạ bão hòa  đường được trưng Volt-Ampe Các phương pháp làm tăng dòng phát xạ điện tử View more...

Comments

Report "Phương trình phát xạ nhiệt điện tử của kim loại. Định luật Richardson"

Please fill this form, we will try to respond as soon as possible.

Your name Email Reason -Select Reason- Pornographic Defamatory Illegal/Unlawful Spam Other Terms Of Service Violation File a copyright complaint Description Close Submit Share & Embed "Phương trình phát xạ nhiệt điện tử của kim loại. Định luật Richardson"

Please copy and paste this embed script to where you want to embed

Embed Script Size (px) 750x600 750x500 600x500 600x400 URL Close Copyright © 2017 DOCUMEN Inc.