Tìm Hiểu Chip Qualcomm Snapdragon 835

Mới đây, Samsung và Qualcomm đồng chính thức công bố thông tin về thế hệ chip tiếp theo với tên gọi Snapdragon 835. Dự kiến Snapdragon 835 sẽ được ra mắt vào đầu năm 2017.

Sản xuất từ quy trình 10nm FinFET

Với việc sản xuất trên tiến trình 10 nm giúp Snapdragon 835 có thiết kế nhỏ gọn hơn, hiệu suất cao hơn và tiết kiệm năng lượng hơn. Qualcomm cho biết so với Snapdragon 820 thì phiên bản 835 nhỏ hơn 30%, cho hiệu suất cao hơn 27% và tiết kiệm năng lượng hơn 40%.

Trang bị công nghệ sạc nhanh Quick Charge 4.0

Công nghệ sạc nhanh Qualcomm Charge 4.0 sẽ cho thời gian sạc rút ngắn đáng kể, tương thích cao với các thiết bị khác nhau, cũng như có các tính năng an toàn hơn. Theo Qualcomm cho biết chỉ cần 5 phút sạc pin bạn có thể dùng điện thoại trong 5 giờ. Quick Charge 4.0 cũng hỗ trợ chuẩn USB-C, đồng thời có khả năng đo chính xác điện áp, dòng điện và nhiệt độ để bảo vệ thiết bị và bộ sạc khỏi hư hỏng. Nó cũng được thiết kế để bảo vệ thiết bị khi bị quá dòng do do các sự cố điện gây ra.

Qualcomm Snapdragon 835 sẽ có 8 nhân Krypo 200

Theo như mạng xã hội Weibo từ Trung Quốc, Snapdragon 835 sẽ dùng 8 nhân Kryo, 4 nhân với xung nhịp 3 Ghz và 4 nhân 2.4 Ghz.

Chip đồ họa (GPU) trên Snapdragon 835 sẽ là Adreno 540

Với chip đồ họa này, sức mạnh mà nó đem lại sẽ cho các game thủ có được trải nghiệm tuyệt vời trên chiếc smarphone của mình.

Hỗ trợ công nghệ UFS 2.1

UFS 2.1 là thế hệ tiếp theo của Universal Flash Storage. Phiên bản này có nhiều cải thiện hơn so với phiên bản trước đó và dự kiến sẽ cung cấp khả năng bảo mật dữ liệu thông qua việc sử dụng mã hóa nội tuyến giữa SoC và thiết bị UFS Storage.

Hỗ trợ công nghệ mạng tốc độ cao LTE Cat 16

Với thông số hiện tại, Snapdragon 835 hứa hẹn sẽ đem lại một hiệu năng ấn tượng và đáng để người dùng mong đợi

Xem thêm:

>>> Tìm hiểu chip Qualcomm Snapdragon 830

>>> Tìm hiểu chip MediaTek Helio X30

3.045 lượt xem