Transistor đơn Nối – Wikipedia Tiếng Việt

Bước tới nội dung

Nội dung

chuyển sang thanh bên ẩn

• Đầu
• 1 Nguyên lý hoạt động
• 2 Các đặc trưng hoạt động
• 3 Ứng dụng
• 4 Tham khảo
• 5 Xem thêm
• 6 Liên kết ngoài

• Bài viết
• Thảo luận

Tiếng Việt

• Đọc
• Sửa đổi
• Sửa mã nguồn
• Xem lịch sử

Công cụ Công cụ chuyển sang thanh bên ẩn Tác vụ

• Đọc
• Sửa đổi
• Sửa mã nguồn
• Xem lịch sử

Chung

• Các liên kết đến đây
• Thay đổi liên quan
• Liên kết thường trực
• Thông tin trang
• Trích dẫn trang này
• Tạo URL rút gọn
• Tải mã QR

In và xuất

• Tạo một quyển sách
• Tải dưới dạng PDF
• Bản để in ra

Tại dự án khác

• Wikimedia Commons
• Khoản mục Wikidata

Giao diện chuyển sang thanh bên ẩn Bách khoa toàn thư mở Wikipedia

Transistor UJT
Cấu trúc UJT
Loại	Chủ động
Chân	B2, B1, Emitter
Ký hiệu điện

Transistor đơn nối UJT là phần tử bán dẫn ba cực nhưng chỉ có một tiếp giáp, hoạt động như một khóa có điều khiển. Các UJT không được sử dụng như một bộ khuếch đại tuyến tính. Nó được sử dụng trong mạch dao động tự lập hoặc được đồng bộ, và xung mạch đập ở tần số thấp (hàng trăm kilohertz) đến trung bình.

Nó được sử dụng rộng rãi trong các mạch kích hoạt cho chỉnh lưu silic kiểm soát. Các chi phí thấp cho mỗi sản phẩm, kết hợp với các đặc tính độc đáo của nó, đã đảm bảo việc sử dụng nó trong một loạt các ứng dụng như máy tạo dao động, máy phát xung, máy phát điện răng cưa, mạch kích hoạt, điều khiển pha, mạch thời gian, và ổn áp hay ổn dòng. Các loại UJT gốc đang coi là lỗi thời; nhưng một thiết bị đa lớp sau là "transistor unijunction lập trình được", vẫn còn phổ biến rộng rãi.[1]

Nguyên lý hoạt động

[sửa | sửa mã nguồn]

Giả sử điện áp cung cấp cực phát VE được giảm xuống bằng không, sau đó điện áp bên trong phân cực ngược các diode phát. Nếu VB là điện áp ngưỡng của diode phát thì  tổng điện áp phân cực ngược là VA+ VB =  VBB + VB . Cho silicon = 0,7 V.

Bây giờ để điện áp cung cấp cực phát VE tăng từ từ. Khi VE bằng VB thì IE0 sẽ giảm về không. Với các mức điện áp bằng nhau ở mỗi bên của diode, dòng điện không đảo ngược cũng không chuyển tiếp. Khi điện áp cung cấp cực phát tăng hơn nữa, diode sẽ bị phân cực thuận ngay khi vượt quá tổng điện áp phân cực ngược (VBB + VB). Giá trị này của emitter VE  được gọi là điện áp đỉnh và được ký hiệu là VP . Khi VE = VP , dòng phát  bắt đầu chảy qua RB1 xuống đất. Đây là dòng tối thiểu để UJT dẫn. Ip tỷ lệ nghịch với điện áp VBB. Bây giờ khi diode phát bắt đầu hoạt động, các hạt mang điện được đưa vào vùng RB của thanh. Do điện trở của vật liệu bán dẫn phụ thuộc vào pha tạp, nên điện trở của vùng RB giảm nhanh do có thêm các hạt mang điện (lỗ). Với sự giảm điện trở này, điện áp rơi trên RB cũng giảm, làm cho diode phát bị lệch về phía trước nhiều hơn. Điều này dẫn đến dòng điện phía trước lớn hơn do đó nhiều hạt mang điện hơn được đưa vào khiến cho điện trở của vùng RB vẫn giảm hơn nữa. Do đó, dòng phát tiếp tục tăng cho đến khi nó bị giới hạn bởi nguồn cung cấp năng lượng phát. Vì VA giảm khi tăng dòng phát nên UJT được cho là có đặc tính kháng âm. Người ta thấy rằng tại cực nền B2 chỉ được sử dụng VBB- điện áp bên ngoài trên nó. Cực E và B1 là 2 cực hoạt động. UJT thường được kích hoạt dẫn truyền bằng cách kích xung dương phù hợp cho bộ phát và được tắt bằng cách kích một xung âm.

Các đặc trưng hoạt động

[sửa | sửa mã nguồn]

Ứng dụng

[sửa | sửa mã nguồn]

Tham khảo

[sửa | sửa mã nguồn]

1. ^ Balbir Kumar and Shail B. Jain (2013). Electronic Devices and Circuits. PHI Learning Pvt. Ltd. p. 342–345. ISBN 9788120348448.

Xem thêm

[sửa | sửa mã nguồn]

• Ký hiệu điện tử
• Sơ đồ mạch điện

Wikimedia Commons có thêm hình ảnh và phương tiện về Transistor đơn nối.

Liên kết ngoài

[sửa | sửa mã nguồn]

Bài viết liên quan đến công nghệ này vẫn còn sơ khai. Bạn có thể giúp Wikipedia mở rộng nội dung để bài được hoàn chỉnh hơn.

• x
• t
• s

x t s Linh kiện điện tử
Linh kiện bán dẫn	Diode DIAC Tuyết lở Ổn dòng (CLD, CRD) LED OLED PIN Laser Quang Schottky Shockley Step recovery Quadrac Thyristor SCR TRIAC Trisil Tunnel Zener Transistor Lưỡng cực BJT Đơn nối UJT (Khuếch tán • Lập trình PUT) Đa cực Darlington Photo Trường FET JFET ISFET FinFET IGBT IGFET CMOS BiCMOS MESFET MOSFET FGMOS MuGFET LDMOS NMOS PMOS VMOS Màng mỏng TFT Hữu cơ (OFET • OLET) Sensor (Bio-FET • ChemFET) Khác Mạch lượng tử Memistor Memristor Photocoupler Photodetector Solaristor Trancitor Varactor Varicap Vi mạch IC
Ổn áp	Bơm điện tích Boost Buck Buck–boost Ćuk Ổn áp Switching Low-dropout SEPIC Split-pi Tụ Sw.
Đèn vi sóng	BWO Magnetron CFA Gyrotron Cảm ứng IOT Klystron Maser Sutton Sóng chạy TWT
Đèn điện tử, tia âm cực	Audion Compactron Acorn Nhân quang điện Diode Barretter Nonod Nuvistor Pentagrid (Hexode, Heptode, Octode) Pentode Đèn quang điện (Phototube) Tetrode tia Tetrode Triode Van Fleming Lệch tia Charactron Iconoscope Mắt thần Monoscope Selectron Storage Trochotron Video camera Williams
Đèn chứa khí	Cathode lạnh Crossatron Dekatron Ignitron Krytron Van thủy ngân Neon Thyratron Trigatron Ổn áp
Hiển thị	Nixie 7 thanh Đa đoạn LCD Ma trận điểm Đĩa lật
Điều chỉnh	Chiết áp Chiết áp số Tụ biến đổi Varicap
Thụ động	Biến áp Đầu nối (Audio và video • Nối nguồn • Nối RF) Lõi Ferrit Cầu chì Điện trở (Trở quang • Trở nhiệt) Chuyển mạch Varistor Dây Dây Wollaston
Điện kháng	Tụ điện Cộng hưởng gốm Dao động tinh thể Cuộn cảm Parametron Relay (Reed • Thủy ngân)

Lấy từ “https://vi.wikipedia.org/w/index.php?title=Transistor_đơn_nối&oldid=74544688” Thể loại:

• Sơ khai công nghệ
• Transistor
• Linh kiện bán dẫn
• Linh kiện điện tử
• Kỹ thuật điện tử

Thể loại ẩn:

• Trang sử dụng liên kết tự động ISBN
• Tất cả bài viết sơ khai

Tìm kiếm Tìm kiếm Đóng mở mục lục Transistor đơn nối 25 ngôn ngữ Thêm đề tài