Đặc Tuyến V I Của Transistor - 123doc

• Đặc tuyến ngõ ra • Đặc tuyến truyền Điểm cần chú ý: tuỳ theo loại transistor và các cách ráp mà nguồn V11, V22 phải mắc đúng cực sao cho nối thu nền phân cực nghịch và nối phát nền phâ

Đặc tuyến V-I của transistor

Bởi:

Trương Văn Tám

Người ta thường chú ý đến 3 loại đặc tuyến của transistor:

• Đặc tuyến ngõ vào

• Đặc tuyến ngõ ra

• Đặc tuyến truyền

Điểm cần chú ý: tuỳ theo loại transistor và các cách ráp mà nguồn V11, V22 phải mắc đúng cực (sao cho nối thu nền phân cực nghịch và nối phát nền phân cực thuận) Các Ampe kế I1, I2, các volt kế V1và V2cũng phải mắc đúng chiều

Chúng ta khảo sát hai cách mắc căn bản:L

Mắc theo kiểu cực nền chung:

Mạch điện như sau:

1/7

Đặc tuyến ngõ vào (input curves).

Nhận xét:

• Khi nối thu nền để hở, đặc tuyến có dạng như đặc tuyến của diode khi phân cực thuận

• Điện thế ngưỡng (knee voltage) của đặc tuyến giảm khi VCBtăng

Đặc tuyến ngõ ra (output curves)

Là đặc tuyến biểu diễn sự thay đổi của dòng điện cực thu ICtheo điện thế thu nền VCB

với dòng điện cực phát IElàm thông số

Đặc tuyến có dạng như sau: Ta chú ý đến ba vùng hoạt động của transistor

Vùng tác động: Nối nền phát phân cực thuận, nối thu nền phân cực nghịch Trong vùng này đặc tuyến là những đường thẳng song song và cách đều Trong các ứng dụng thông thường, transistor được phân cực trong vùng tác động

Đặc tuyến V-I của transistor

2/7

Vùng ngưng: nối nền phát phân cực nghịch (IE=0), nối thu nền phân cực nghịch Trong vùng này transistor không hoạt động

Vùng bảo hoà: nối phát nền phân cực thuận, nối thu nền phân cực thuận Trong các ứng dụng đặc biệt, transistor mới được phân cực trong vùng này

Mắc theo kiểu cực phát chung

3/7

Đặc tuyến ngõ vào:

Đặc tuyến ngõ ra:

Biểu diễn dòng điện cực thu ICtheo điện thế ngõ ra VCEvới dòng điện ngõ vào IBđược chọn làm thông số

Dạng đặc tuyến như sau:

Đặc tuyến V-I của transistor

4/7

• Ta thấy cũng có 3 vùng hoạt động của transistor: vùng bảo hoà, vùng tác động

và vùng ngưng

• Khi nối tắt VBE(tức IB=0) dòng điện cực thu xấp xĩ dòng điện rĩ ICEO

5/7

Đặc tuyến truyền: (Transfer characteristic curve)

Đối với transistor Si, vùng hoạt động có VBEnằm trong khoảng 0,5-0,8V Trong vùng này, đặc tuyến truyền có dạng hàm mũ Ở vùng bão hoà, dòng ICtăng nhanh khi VBE

thay đổi Ở vùng ngưng, khi VBE còn nhỏ, dòng rỉ qua transistor ICES rất nhỏ, thường xấp xĩ ICBO

Ngay cả trong vùng hoạt động, khi VBEthay đổi một lượng nhỏ (từ dòng IB thạy đổi) thì dòng ICthay đổi một lượng khá lớn Vì thế, trong các ứng dụng, người ta dùng điện thế cực nền VBElàm điện thế điều khiển và cực B còn gọi là cực khiển

Ảnh hưởng của nhiệt độ lên các đặc tuyến của BJT

Như ta đã thấy, các tính chất điện của chất bán dẫn đều thay đổi theo nhiệt độ Do đó, các đặc tuyến của BJT đều thay đổi khi nhiệt độ thay đổi

• Khi nhiệt độ tăng, các dòng điện rỉ của cực thu (ICBO,Iceo, ICES) đều tăng

• Khi nhiệt độ tăng, các độ lợi điện thế αDC, βDCcũng tăng

• Khi nhiệt độ tăng, điện thế phân cực thuận (điện thế ngưỡng) nối nền phát VBE

giảm Thông thường, VBEgiảm 2,2mV khi nhiệt độ tăng 10C

Đặc tuyến V-I của transistor

6/7

• Dòng điện rỉ ICBO tăng gấp đôi khi nhiệt độ tăng 80C trong transistor Si.

7/7