Ký Hiệu Của JFET Kênh N Và Kênh P - Tài Liệu Text - 123doc

1. Trang chủ >
2. Kỹ Thuật - Công Nghệ >
3. Điện - Điện tử >

Ký hiệu của JFET kênh N và kênh P

Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (369.87 KB, 17 trang )

3.2. Nguyên lý làm việc của JFETE tạo dòng I chạy qua kênh dẫn.D,DE đặt Vgiữa cực G và cực S, làm cho p-n pcn, bề dàyGGSvùng nghèo tăng lên và tiết diện của kênh dẫn bị thu hẹp.Nếu giữ E không đổi, khi tăng E dòng I giảm.DGDĐặt giữa G và S 1tín hiệu xoay chiều e Dòng I tạo mộtS.Dđiện áp trên điện trở R có cùng dạng với e nhưng vớiDSbiên độ lớn hơn, ta nói J-FET đã khuếch đại tín hiệu.3.3. Đặc tuyến V-A (xét loại kênh n)V= 0 chia đặc tuyến thành 3 đoạn:Miền điện trở, miền thắtGSkênh, miền đánh thủng.V≠ 0, tiếp giáp p-n pcn nhiều hơn, điện trở kênh dẫn tăng vàGSdòng I nhỏ hơn. Vcàng âm, I càng giảm.DGSD- BJT :I = f (I ) = β ICBB- JFET: Công thức ShockleyI =I(1–V/ V )2D DSSGS PID(mA)IDSSUGS =0VUGS =-1VUGS =-2VUGS(V)UGS =-3V-4 -3 -2-10UDS(V)3.5 Các tham số đặc trưng1. Điện trở vi phân lối ra (điện trở kênh dẫn)rD =∂VDS∂I DVDS = const2. Hỗ dẫn (độ dốc đặc tuyến truyền đạt)gm =∂I D∂VGSVDS =const3. Điện trở vi phân lối vào (điện trở vào)ri =∂VGS∂I GVDS =const4. Hệ số khuếch đại tĩnh∂VDSµ=I =const∂VGS Dgm = 7 ÷ 10mA/V.3.6. Sơ đồ tương đương của J-FETGiữa hai cực vào G, S là điện trở vào r . Giữa hai cực ra có điệnitrở kênh dẫn r và nguồn dòng g V(phản ánh khả năng điềudm GSkhiển dòng điện máng của điện áp vào V ). Dòng qua tải mắcGSgiữa hai cực ra D, S là:v DSi D = g m v GS +rD4. Transistor trường có cực cửa cách li(IG-FET hay MOS-FET)4.1. Cấu tạo của MOS-FET kênh có sẵn loại n- Từ phiến bán dẫn Si loại p, tạo trên bề mặt củanó một lớp bán dẫn loại n làm kênh dẫn.- Ở hai đầu kênh dẫn người ta khuếch tán haivùng n+ dùng làm cực nguồn (S) và cực máng(D), phủ một màng SiO bảo vệ trên bề mặt2phiến Si.- Phía trên màng này gắn một băng kim loạidùng làm cực cửa (G). Đáy của phiến Si gắn sợidây kim loại dùng làm cực đế SUB (substrate).Nếu phiến bán dẫn là loại n, ta có MOS-FETloại p.4.2. Nguyên lí làm việc của MOS-FET kênh nV(do nguồn E ), có dòng IDSDDtạo bởi hat dẫn đa số (điện tử).-V(do nguồn E ), điện trở kênhGSGtăng và I giảm. Vcàng âm, IDGSDcàng giảm.Chế độ làm việc này làm-nghèo hạt dẫn vì thế được gọi là chếđộ nghèo (depletion).V> 0, thì càng tăng V , RGSGS kênhgiảm và I càng tăng. Chế độ nàyDđược gọi là chế độ giàu-(enhancement).Tầng khuếch đạidùng MOS-FET kênh n4.3. Đặc tuyến truyền đạt và đặc tuyến V - A củaMOS-FET kênh có sẵn loại n.Mỗi đặc tuyến cũng cóba đoạn tương ứng:- Đoạn I tăng gần tuyếnDtính theo VDS,- Đoạn I bão hoà (trạngDthái thắt kênh)- Và đoạn đánh thủng.4.4. Cấu tạo của MOSFET kênh cảm ứngTừ phiến bán dẫn Si loại p, hai vùng bán dẫn loại N pha nồng độ caokhông dính liền nhau dùng làm cực nguồn (S) và cực máng (D), phủ mộtmàng SiO bảo vệ trên bề mặt phiến Si. Phía trên màng này gắn một băng2kim loại dùng làm cực cửa (G). Đáy của phiến Si gắn sợi dây kim loạidùng làm cực đế SUB (substrate).Nếu phiến bán dẫn là loại n, ta có MOS-FET loại p.4.5. Đặc tính của MOSFET kênh cảm ứngBình thường không có dòng điện qua kênh, I = 0 và điện trở giữa D và S rất lớn.DV > 0 thì điện tích dương ở cực G sẽ hút các điện tử của nền P về phía giữa 2 vùng bán dẫn N và kênhGSđược liên tục khi đó có dòng điện I đi từ D sang S. Điện thế phân cực cho cực G càng tăng thì dòng IDDcàng lớn.

Xem Thêm

Tài liệu liên quan

• ĐIỆN TỬ CƠ BẢN (Giang Bích Ngân) - CHƯƠNG 6 potx
  • 17
  • 1,150
  • 23
• Chapter_16___Nghe_Ban_Hang_va_Quan_Tri_Ban_Hang
  • 30
  • 246
  • 1
• Chapter_18___Tro_Thanh_Nguoi_Giam_Doc_Ban_Hang_Chuyen_Nghiep
  • 23
  • 269
  • 1

Tải bản đầy đủ (.ppt) (17 trang)

Tài liệu bạn tìm kiếm đã sẵn sàng tải về

(351 KB) - ĐIỆN TỬ CƠ BẢN (Giang Bích Ngân) - CHƯƠNG 6 potx-17 (trang) Tải bản đầy đủ ngay ×