Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) - TaiLieu.VN

Trang chủ » Bjt Lưỡng Cực » Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) - TaiLieu.VN

Có thể bạn quan tâm

OPTADS360 intTypePromotion=1 zunia.vn Tuyển sinh 2024 dành cho Gen-Z zunia.vn zunia.vn tailieu.vn NÂNG CẤP Đăng Nhập | Đăng Ký Chủ đề »
  • Điện tử cơ bản
  • Máy biến áp
  • Điện tử điện lạnh
  • Linh kiện điện tử
  • Mạch điện tử
  • HOT
    • CEO.29: Bộ Tài Liệu Hệ Thống Quản Trị...
    • LV.11: Bộ Luận Văn Tốt Nghiệp Chuyên...
    • CEO.27: Bộ Tài Liệu Dành Cho StartUp...
    • FORM.04: Bộ 240+ Biểu Mẫu Chứng Từ Kế...
    • FORM.07: Bộ 125+ Biểu Mẫu Báo Cáo...
    • LV.26: Bộ 320 Luận Văn Thạc Sĩ Y...
    • CMO.03: Bộ Tài Liệu Hệ Thống Quản Trị...
    • FORM.08: Bộ 130+ Biểu Mẫu Thống Kê...
    • TL.01: Bộ Tiểu Luận Triết Học
    CEO.24: Bộ 240+ Tài Liệu Quản Trị Rủi Ro Doanh...
TUYỂN SINH YOMEDIA ADSENSE Trang Chủ » Kỹ Thuật - Công Nghệ » Điện - Điện tử Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT)

Chia sẻ: Ai Dieu | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:16

Thêm vào BST Báo xấu 2.058 lượt xem 206 download Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

MỤC ĐÍCH THÍ NGHIỆM: Giúp sinh viên bằng thực nghiệm khảo sát các vấn đề chính sau đây : Vấn đề phân cực DC CE/BJT-(NPN-PNP), Khảo sát mạch khuếch đại AC ghép RC dạng CE, CC, CB/BJT-NPN

AMBIENT/ Chủ đề:
  • Điện - Điện tử
  • Vật Lý
  • Thí Nghiệm Điện tử
  • Kỹ thuật
  • Transistor Lưỡng Cực (BJT

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Đăng nhập để gửi bình luận! Lưu

Nội dung Text: Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT)

  1. Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) BÀI 2 : MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT) MỤC ĐÍCH THÍ NGHIỆM Giúp sinh viên bằng thực nghiệm khảo sát các vấn đề chính sau đây : 1. Vấn đề phân cực DC CE/BJT-(NPN-PNP) : Xác định điểm làm việc tĩnh Q(VCEQ, ICQ) , hệ số khuếch đại dòng β . trên họ đặc tuyến ngõIra = f (VCE ) I =const C B 2. Khảo sát mạch khuếch đại AC ghép RC dạng CE, CC, CB/BJT-NPN : a. Khảo sát mạch khuếch đại AC CE/BJT-NPN dãy tần giữa (Midrange) : Xác định Av, độ lệch pha ΔΦ. b. Khảo sát đáp ứng tần số thấp của mạch khuếch đại AC CE/BJT-NPN : vẽ biểu đồ Bode quan hệ Biên độ – tần số Av(f), Pha – tần số φ(f), xác định tần số cắt dưới fCl = min(fCL1, fCL2) của mạch khuếch đại với giả thiết tụ CE bypass hoàn toàn. 3. Khảo sát mạch khuếch đại ghép kiểu Darlington. THIẾT BỊ SỬ DỤNG Bộ thí nghiệm ATS-11 và Module thí nghiệm AM-102B. Dao động ký, đồng hồ VOM và dây nối. PHẦN I : CƠ SỞ LÝ THUYẾT Phần này nhằm tóm lược những vấn đề lý thuyết thật cần thiết phục vụ cho bài thí nghiệm và các câu hỏi chuẩn bị để sinh viên phải đọc kỹ và trả lời trước ở nhà. I.1. CẤU TẠO TRANSISTOR E C E C N P N P N P B B - + + - +- +- VCB VCB VBE VBE VBE : phân cực VCB : phân cực VBE : phân cực VCB : phân cực thuận mối nối nghịch mối thuận mối nối nghịch mối B-E nối B-C B-E nối B-C IC IC C C B B IE = I B + IC IB IB E E IE IE (a) BJT- PNP (b) BJT - NPN Hình 2-1 I.2. TRẠNG THÁI HOẠT ĐỘNG CỦA TRANSISTOR Tùy mức phân cực mà transistor có thể làm việc một trong ba trạng thái : a. Trạng thái ngưng dẫn : Nếu BJT được phân cực với mối nối BE phân cực nghịch VBE < Vγ (VBE = 0 ÷ 0,4V) thì BJT ngưng dẫn: dòng IB = 0, IC = 0, và VCE ≈ VCC.
  2. Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) b. Trạng thái khuếch đại : Nếu BJT được phân cực với mối nối BE phân cực thuận VBE = 0,5 ÷ 0,7V và BC được phân cực nghịch thì BJT dẫn điện: dòng IC tăng theo IB (IC = βIB) c. Trạng thái bảo hòa : Nếu BJT được phân cực với mối nối BE và BC phân cực thuận , thì transistor dẫn bão hòa: lúc đó IC không tăng (IC < βIB) và điện thế VCE giảm còn rất nhỏ gọi là VCE bão hòa (VCEsat ≈ 0,2V). I.3. KHUẾCH ĐẠI AC BJT DÃY TẦN GIỮA I.3.1. MẠCH KHUẾCH ĐẠI BJT GHÉP KIỂU CE: VCC VCC Rc Rb1 C2 Rb1 Rc Vo C1 + + RL Vi Rb2 Ce Rb2 Re Re + 0 0 Hình 2.2a. Dạng mạch CE Hình 2.2b. Mạch tương đương DC RL : biểu diễn tải được nhìn bởi bộ khuếch đại. RB1, RB2, RC và RE : cung cấp phân cực DC để BJT hoạt động trong miền tuyến tính. I.3.1.A. Khảo sát DC: Rb1 .Rb 2 Rb 2 R BB = VBB = VCC Rb1 + Rb 2 Rb1 + Rb 2 VBB − VBE I E ≈ I C = βI B = IB RBB + (1 + β ) Re ⇒ h fe hie = 25 mV I C (mA) I.3.1.B. Khảo sát AC: Để có mạch tương đương (Hình 1c.) cần biết như sau : Bất kỳ node nào mà điện áp tại đó đúng bằng hằng số (constant) thì được coi như nối đất về mặc AC. Nội trở của tất cả các nguồn cung cấp được giả thiết bỏ qua, không đáng kể so với các thông số của mạch ⇒ Do đó, các node nguồn cung cấp được nối đất về mặt AC. Các tụ C1, C2, CE hoạt động ngắn mạch (short circuits) tại các tần số thuộc dãy giữa (midrange). Giả định này xác định miền dãy giữa. Các điện dung dây nối và của linh kiện có tác dụng hở mạch (open circuits) tại các tần số thuộc dãy giữa. Ngõ vào của BJT được xem như một diode có điện trở AC là hie. Dòng base ib chảy vào trong linh kiện. Ngõ ra của BIT được xem như một nguồn dòng ic = hfe.ib với điện trở ra là 1/hoe
  3. Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) Zi Zo i B C Vo b 1/hoe Rc RL Vi Rb1//Rb2 hie ic = hfeib E Hình 2.2c. Mạch tương đương AC dãy tần giữa Các thông số của mạch khuếch đại: Z i = Rb1 // Rb 2 // hie ≈ hie Z o = (1 / hoe ) // RC ≈ RC ⎛ (1 / h0 e ) // RC ⎞ ⎛ Rb1 // Rb 2 ⎞ i ii Ai = o = o ⋅ b = ⎜ − h fe ⎟⋅⎜ ⎟ ⎜ (1 / h0e ) // RC + RL ⎟ ⎜ Rb1 // Rb 2 + hie ⎟ ii ib ii ⎝ ⎠⎝ ⎠ ⎡ 1 ⎤ ⎡ ( Rb1 // Rb 2 // hie ) ⎤ [ ] v viv Av = o = o ⋅ b . b = − h fe .((1 / h0 e ) // RC // RL ) ⋅ ⎢ ⎥.⎢ ⎥ ⎣ hie ⎦ ⎣ ( Rb1 // Rb 2 // hie ) + Ri ⎦ vi ib v b v i h fe ( Rb1 // Rb 2 // hie ).[(1 / h0 e ) // RC // RL ] =− ⋅ ( Rb1 // Rb 2 // hie + Ri ) hie RC Trong A v ≅ − h fe ⋅ R i + h ie trường hợp : Rb1 và Rb2 >> hie, (1/hoe) và RL >> RC : Vậy: Mạch CE có chức năng khuếch đại dòng và khuếch đại áp. Chiến lược thiết kế mạch khuếch đại AC với độ lợi Av theo yêu cầu có thể được thực hiện dựa vào biểu thức của Av. Trước tiên, thông qua việc ấn định điểm làm việc tĩnh Q (ICQ, VCEQ) trên họ đặc tuyến ngõ ra ic = f(vce), ta xác định được các giá trị RB1, RB2, RC. Đối với một linh kiện BJT đã cho (xác định được hfe và (1/hoe)) thì độ lợi của bộ khuếch đại sẽ phụ thuộc vào RC và Ri. Nếu RC được cho thì độ lợi có thể được hiệu chỉnh bằng cách thay đổi Ri.
  4. Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) I.3.2. MẠCH KHUẾCH ĐẠI BJT GHÉP KIỂU CC: VCC VCC Rb1 Ri C1 + C2 R BB Vo + Vi Rb3 Rb2 V BB Re Re 0 0 Hình 2-3a : Mạch khuếch đại ghép CC Hình 2-3b : Mạch tương đương AC Ri : được thêm vào để kiểm soát dòng điện ngõ vào từ nguồn v1. I.3.2.A. Khảo sát DC: Rb 2 R BB = Rb1 // Rb 2 + Rb 3 V BB = VCC Rb1 + Rb 2 VBB − VBE I E ≈ I C = βI B = IB RBB + (1 + β ) Re ⇒ h fe hie = 25 mV I C (mA) I.3.2.B. Zi ib B C Ri hie Vo Vi Re.hfe RBB Zo Hình 2-3c : Mạch tương đương tín hiệu nhỏ Khảo sát AC: [ ] : rất lớn Z i = Ri + RBB //( hie + Re. .h fe ) hie + ( Ri // R BB ) : rất nhỏ Z o = Re // h fe ⎡ ⎤ ⎡ R BB //( hie + Re .h fe ) ⎤ [ ]⋅ ⎢ h v o v o ib v b 1 ⎥ ≤1 Av = = ⋅ . = Re .h fe ⎥.⎢ + Re .h fe ⎥ ⎢ RBB //( hie + Re .h fe ) + Ri ⎥ vi ib v b v i ⎢ ⎣ ⎦⎣ ⎦ ie Vậy: Mạch CC không có chức năng khuếch đại áp. Mạch CC có tổng trở vào lớn, tổng trở ra nhỏ, thường được dùng để phối hợp trở kháng giữa các tầng khuếch đại.
  5. Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) I.3.3. MẠCH KHUẾCH ĐẠI BJT GHÉP KIỂU CB: VCC VCC C1 Rb1 Rc C2 Rb1 Rc Vo + + Vi Re RL Rb2 + Cb Rb2 Re 0 0 Hình 2-4a : Mạch khuếch đại ghép CB Hình 2-4b : Mạch tương đương DC I.3.3.A. Khảo sát DC: Tương tự như mạch CE I.3.3.B. Khảo sát AC: ie Zi Zo E C Vo ii io 1/hob Rc RL Vi Re hib hfb.ie B Hình 2-4c : Mạch tương đương tín hiệu nhỏ Z i = Re // hib ≈ hib Z o = 1 / hob // RC ⎡ ⎤ 1 // R ⎥.⎡− Re ⎤ ≈ h ≤ 1 i o io i e ⎢ hob C Ai = = ⋅ = − h fb 1 // RC + RL ⎥ ⎢ Re + hib ⎥ ⎢ fb ii i e ii ⎣ ⎦ ⎢ ⎥ hob ⎣ ⎦ ⎡ 1⎤ v o v o ie ⎡ = ⋅ = − h fb ( 1 // RC // R L )⎤.⎢− ⎥ Av = ie vi ⎢ ⎥h hob ⎣ ⎦ ⎣ ib ⎦ vi Vậy: Mạch CB không có chức năng khuếch đại dòng.
  6. Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) PHẦN II : TIẾN TRÌNH THÍ NGHIỆM Sau khi đã hiểu kỹ những vấn đề lý thuyết được nhắc lại và nhấn mạnh ở PHẦN I, phần này bao gồm trình tự các bước phải tiến hành tại phòng thí nghiệm. Như vậy, SV cần thực hiện, mắc mạch, đo đạc, hiểu kỹ và ghi nhận kết quả. Sau mỗi bài thí nghiệm, GV hướng dẫn sẽ kiểm tra và đánh giá kết quả thí nghiệm của SV. II.1. PHÂN CỰC BJT NPN (Mạch A2-1) II.1.1 Sơ đồ nối dây: (hình 2-1) ♦ Cấp nguồn +12V của nguồn DC POWER SUPPLY cho mạch A2-1 - Chốt +12V của mạch ⇔ chốt +12V - Chốt GND của mạch ⇔ chốt GND của nguồn DC POWER SUPPLY. ♦ Ngắn mạch các mA kế. ♦ Khảo sát BJT NPN C1815. Hình 2-1: Phân cực mạch khuếch đại CE dùng BJT-NPN (Mạch A2-1) II.1.2 Các bước thí nghiệm : 1. Chỉnh biến trở P1 để VCE có các giá trị theo bảng A2-1. Đo điện áp rơi trên R2 (VR2), ghi vào Bảng A2-1. Tính IB, IC, và hệ số khuếch đại dòng β. Bảng A2- 1 Thông số Thông số tính toán Nhận xét cần đo Điện áp VCE β = hfe Trạng thái hoạt động của BJT V − VCE VR 2 [v] VR2 [V] IB = [A] I C = CC [A] (Ngưng dẫn, Khuếch đại, Bão hòa) = Ic / Ib R 3 + P2 R2 ≈ VCC = 5.5 V ÷ 6.5V = 0.1 ÷ 0.2V
  7. Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) 2. Cho biết điểm làm việc tĩnh Q trong cả 3 trường hợp phân cực nêu trên của BJT: Q(ICQ, VCEQ) Trạng thái làm việc Q1 Q2 Q3 II.2. PHÂN CỰC BJT PNP (Mạch A2-2) II.2.1 Sơ đồ nối dây: (hình 2-2) ♦ Cấp nguồn -12V của nguồn DC POWER SUPPLY cho mạch A2-2 - Chốt -12V của mạch ⇔ chốt -12V - Chốt GND của mạch ⇔ chốt GND của nguồn DC POWER SUPPLY. ♦ Ngắn mạch các mA kế. ♦ Khảo sát BJT PNP A1015. Hình 2-2: Phân cực mạch khuếch đại CE dùng BJT-PNP (Mạch A2-2) II.2.2 Các bước thí nghiệm : 1. Chỉnh biến trở P1 để VCE có các giá trị theo bảng A2-2. Đo điện áp rơi trên R2 (VR2) ghi vào Bảng A2-2. Tính IB, IC, và hệ số khuếch đại dòng β. Bảng A2-2 Thông số Thông số tính toán Nhận xét cần đo Điện áp VCE β = hfe VR2 [V] Trạng thái hoạt động của BJT [V] V − VCE V (Ngưng dẫn, Khuếch đại, Bão hòa) I B = R 2 [A] I C = CC [ A ] = Ic / Ib R 3 + P2 R2 ≈ -12V ≈ -5.5 ÷ -6.5V ≈-0.1 ÷ -0.2V
  8. Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) 2. Cho biết điểm làm việc tĩnh Q trong cả 3 trường hợp phân cực nêu trên của BJT : Q1(ICQ, VCEQ) Trạng thái làm việc Q1(ICQ1, VCEQ1) Q2(ICQ2, VCEQ2) Q3(ICQ3, VCEQ3) II.3. MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP CE (Mạch A2-3) II.3.1 Khảo sát DC : II.3.1.A Sơ đồ nối dây: (hình 2-3) ♦ Cấp nguồn +12V của nguồn DC POWER SUPPLY cho mạch A2-3 A Hình 2-3: Khuếch đại xoay chiều (AC) ghép CE dùng BJT-NPN (Mạch A2-3) II.3.1.B Các bước thí nghiệm: 1. Xác định điểm làm việc tĩnh Q(ICQ, VCEQ) của mạch : - Đo điện áp tại điểm A : VA = ........................................................ - Đo điện áp VCEQ = ........................................................ - Tính dòng : VA − VCEQ I CQ = = ------------------- R4 + R5 - ⇒ Điểm làm việc tĩnh Q(ICQ, VCEQ) = ............................................................... 2. Cho biết trạng thái hoạt động của BJT : …………………………………………………………………….
  9. Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) II.3.2 Khảo sát đặc tính khuếch đại AC ở dãy tần giữa : (Vẫn mạch A2-3) II.3.2.A Sơ đồ nối dây: ♦ Vẫn cấp nguồn +12V nguồn DC POWER SUPPLY cho mạch A2-3 ♦ Dùng thêm tín hiệu từ máy phát tín hiệu Function Generator trên thiết bị ATS để đưa tín hiệu AC đến ngõ vào IN của mạch khuếch đại. Và chỉnh máy phát tín hiệu : - Đặt chế độ (Function) tại vị trí : Sine - Chỉnh biến trở Amplitude để có giá trị điện áp đỉnh đỉnh VIN(p-p) = 30mV - Tần số 1Khz: Range : Đặt tại vị trí : x1K Frequency : Vị trí phù hợp. ♦ Nối ngõ ra OUT của máy phát đến ngõ vào IN của mạch. ♦ Dùng dao động ký để quan sát tín hiệu điện áp ngõ IN vào và ngõ ra OUT. II.3.2.B Các bước thí nghiệm: 1. Đo các giá trị VIN, VOUT, tính Av. Ghi kết qủa vào bảng A2-3 2. Đo độ lệch pha ΔΦ giữa tín hiệu ngõ vào VIN và tín hiệu ngõ ra VOUT Bảng A2-3 Thông số cần đo Trị số điện áp vào VIN (p-p) = 30 mV Biên độ VOUT (p-p) VOUT(p-p) Độ lợi điện áp Av = VIN(p-p) Độ lệch pha ΔΦ 3. Quan sát trên dao động ký và vẽ trên cùng một hệ trục tọa độ dạng tín hiệu điện áp ngõ vào (VIN) và tín hiệu điện áp ngõ ra (VOUT) 4. Dựa vào trạng thái hoạt động khuếch đại của BJT ở bảng A2-1 và A2-3, nêu nhận xét về các đặc trưng của mạch khuếch đại CE (về hệ số khuếch đại dòng β, hệ số khuếch đại áp Av, độ lệch pha ΔΦ) .................................................................................................................................... .................................................................................................................................... II.3.3 Khảo sát đáp ứng tần số của mạch khuếch đại : Vẫn mạch A2-3 II.3.3.A Sơ đồ nối dây: ♦ Cấp nguồn +12V từ nguồn DC POWER SUPPLY cho mạch A2-3
  10. Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) ♦ Dùng tín hiệu AC từ máy phát tín hiệu để đưa đến ngõ vào IN của mạch và chỉnh máy phát để có : Sóng Sin, f = 1Khz., VIN (pp) = 30mV ♦ Dùng dao động ký để quan sát tín hiệu điện áp ngõ vào và ngõ ra. II.3.3.B Các bước thí nghiệm: 1. Đọc biên độ đỉnh - đỉnh VOUT(pp) tại ngõ ra. Ghi nhận độ lợi Av tại f = 1KHz : VOUT(p-p) Độ lợi điện áp Av = = VIN(p-p) 2. Giữ nguyên biên độ điện áp tín hiệu vào VIN (pp) = 30mV (Không chỉnh Amplitude). Thay đổi tần số máy phát sóng (bằng Frequency và Range) theo Bảng A2- 4. Đo biên độ đỉnh - đỉnh tại ngõ ra VOUT(pp), ghi nhận độ lợi Av tại các tần số khảo sát. Bảng A2- 4 Tần số 100Hz 200Hz 1Khz 10Khz 20Khz 50Khz 100Khz Biên độ VOUT (p-p) (V) Av 3. Vẽ biểu đồ Boode thể hiện quan hệ Biên độ – Tần số theo Bảng A2-4 (Av theo tần số f) |AV | f (Hz) O Xác định tần số cắt dưới theo thực nghiệm : fCL =
  11. Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) II.4. MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP CC (Mạch A2-4) II.4.1 Sơ đồ nối dây: (Hình 2-4) ♦ Cấp nguồn +12V cho mạch A2-4 Hình 2-4: Khuếch đại ghép CC (Mạch A2-4) II.4.2 Khảo sát chế độ DC : II.4.2A Chỉ dùng 1 BJT (T1- NPN C1815) - Tải R5 =100Ω 1/ Sơ đồ nối dây: Ngắn mạch J1 và J5, để khảo sát riêng Transistor T1 với tải ngõ ra R5 = 100Ω. 2/ Các bước thí nghiệm: a. Chỉnh biến trở P1 để có các giá trị điện áp rơi trên R2 (VR2) như Bảng A2-5. Đo điện áp trên tải ngõ ra VR5, tính hệ số khuếch đại dòng β. Bảng A2-5. Thông số cần đo Thông số tính toán VR2 [V] VOUT [V] VR 5 V β = hfe = Ic / Ib I B = R 2 [A] IC = [ A] R2 R5 0,05V 0,1V b. Dựa vào kết qủa bảng A2- 4, nhận xét gì về hệ số khuếch đại dòng điện β của mạch ghép CC với mạch ghép CE (Cùng dùng chung một loại BJT C1815- NPN) ở phần thí nghiệm II.1 ở bảng A2-1 (khi BJT hoạt động chế độ khuếch đại): ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... II.4.2B Ghép Darlington 2 BJT (T1- NPN C1815 và T2–NPN H1061) - Tải R5= 100Ω 1/ Sơ đồ nối dây: Vẫn mạch A2-4 ♦ Tháo J1, vẫn giữ ngắn mạch J5, ngắn mạch thêm J2 , J3 để sử dụng cách ghép Darlington hai BJT T1 và T2. ♦
  12. Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) 2/ Các bước thí nghiệm: a. Chỉnh biến trở P1 để có các giá trị điện áp trên R2 (VR2) theo Bảng A2-6. Đo điện áp trên tải ngõ ra VR5, tính hệ số khuếch đại dòng β. Bảng A2-6 Thông số cần đo Thông số tính toán β = hfe = Ic / Ib VR2 [V] VR5 [V] VR 5 VR 2 IB = IC = [A] [ A] R2 R5 0,05V 0,1V b. Trên cơ sở đo hệ số khuếch đại dòng β , so sánh kết quả đo giữa tầng lặp lại đơn ở bảng A2-5 và tầng lặp lại Darlington của bảng A2-6. Giải thích sự khác nhau về 2 cách ghép này : ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... II.4.3 Khảo sát chế độ AC : ♦ Chuẩn bị máy phát tín hiệu ( FUNCTION GENERATOR) - Chế độ máy phát ( FUNCTION) : Sóng= sine, f= 1Khz,VIN(p-p) = 100mV - Nối ngõ ra OUT của máy phát đến ngõ vào IN của mạch II.4.3A Chỉ dùng 1 BJT (T1- NPN C1815) - Tải R5 =100Ω : 1. Sơ đồ nối dây: Mắc mạch ghép CC dùng 1 BJT như mục II.4.2A 2. Các bước thí nghiệm: a. Đo các giá trị VOUT, độ lệch pha ΔΦ ghi vào bảng A2-7, tính Av. Bảng A2-7 Thông số cần đo Trị số điện áp vào VIN (p-p) = 100 mV VOUT VOUT(p-p) Độ lợi điện áp Av = VIN(p-p) Độ lệch pha ΔΦ
  13. Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) b. Quan sát trên dao động ký và vẽ trên cùng một hệ trục tọa độ dạng tín hiệu điện áp ngõ vào (VIN) và tín hiệu điện áp ngõ ra (VOUT) ) (chú ý biên độ và pha) : c. Giữ nguyên biên độ và tần số ngõ vào. Thay tải R5 bằng các tải R4 và R6, xác định VOUT. Tính hệ số khuếch đại Av khi dùng các tải khác nhau, ghi kết quả vào bảng A2-8 . Kết luận về vai trò tầng đệm CC ? …………………………………………… Bảng A2-8 Tải VIN (p-p) VOUT (p-p) Độ lợi điện áp Av R4 =1K R5 = 100 R6 = 5,1K d. Nhận xét về các đặc trưng của mạch khuếch đại CC (về hệ số khuếch đại dòng β, hệ số khuếch đại áp Av, độ lệch pha ΔΦ) ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ...................................................................................................................................
  14. Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) II.4.3B Ghép Darlington 2 BJT (T1- NPN C1815 và T2 – NPN C1061) - Tải 100Ω 1. Sơ đồ nối dây: Mắc mạch ghép Darlington 2 BJT T1 và T2 như mục II.4.2B 2. Các bước thí nghiệm: a. Nối ngõ ra OUT của máy phát với ngõ vào (A) của mạch A2-4B. Biên độ máy phát VIN(p-p) = 100mV, f= 1Khz. b. Đo các giá trị VOUT, độ lệch pha ΔΦ ghi vào bảng A2-9, tính Av. Bảng A2-9 Thông số cần đo Trị số điện áp vào VIN (p-p) = 100 mV VOUT VOUT(p-p) Độ lợi điện áp Av = VIN(p-p) Độ lệch pha ΔΦ c. Quan sát trên dao động ký và vẽ trên cùng một hệ trục tọa độ dạng tín hiệu điện áp ngõ vào (VIN) và tín hiệu điện áp ngõ ra (VOUT) ) (chú ý biên độ và pha) : ♦ Trên cơ sở đo hệ số khuếch đại dòng và hệ số khuếch đại thế, so sánh kết quả đo giữa tầng lặp lại đơn và tầng lặp lại Darlington. ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ...................................................................................................................................
  15. Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) II.5. MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP CB (Mạch A2-5) II.5.1 Sơ đồ nối dây: (Hình 2-5) ♦ Cấp nguồn +12V cho mạch A2-5 ♦ Ngắn mạch các mA kế. Hình 2-5: Khuếch đại ghép CB (Mạch A2-5) II.5.2 Đo hệ số truyền dòng α : 1. Vặn biến trở P1 để dòng emitter - Ie ứng với các giá trị cho trong bảng A2-10. Ghi giá trị dòng collector - Ic vào bảng. Bảng A2-10 Dòng Ie /T1 (Chỉnh P1) Dòng Ic / T1 1 Ie1 = 1mA Ic1 = ……………………mA 2 Ie2 = 2 mA Ic2 = …………………..mA 2. Tính hệ số truyền dòng: α = (Ic2 - Ic1) / (Ie2 - Ie1) = ………………………… II.5.3 Khảo sát chế độ AC : ♦ Chuẩn bị máy phát tín hiệu ( FUNCTION GENERATOR) - Chế độ máy phát ( FUNCTION) : Sóng= Sin, f= 1Khz,VIN(p-p) = 30mV - Nối ngõ ra OUT của máy phát đến ngõ vào IN của mạch 1. Đo các giá trị VOUT, độ lệch pha ΔΦ ghi vào bảng A2-11, tính Av. Bảng A2-11 Thông số cần đo Trị số điện áp vào VIN (p-p) = 100 mV VOUT VOUT(p-p) Độ lợi điện áp Av = VIN(p-p) Độ lệch pha ΔΦ
  16. Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) 2. Quan sát trên dao động ký và vẽ trên cùng một hệ trục tọa độ dạng tín hiệu điện áp ngõ vào (VIN) và tín hiệu điện áp ngõ ra (VOUT) ) (chú ý biên độ và pha) : 3. Nối J4 , đo biên độ xung ra. Tính hệ số khuếch đại Av khi có tải (Ura có nối J4) và khi không có tải (Ura không nối J6), ghi kết quả vào bảng A2-12 . Bảng A2-12 Tải VIN (p-p) VOUT (p-p) Độ lợi điện áp Av Không nối J4 Nối J4 4. So sánh sự mất mát biên độ xung khi nối chốt tải cho 3 bộ khuếch đại emitter chung, collector chung và base chung. Kết luận sơ bộ về khả năng ứng dụng của mỗi loại. ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ...................................................................................................................................
ADSENSE

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

LV.15: Bộ Đồ Án Tốt Nghiệp Chuyên Ngành Cơ Khí 65 tài liệu 2431 lượt tải

  • CHƯƠNG 5: MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ

    doc 26 p | 2782 | 278

  • Giáo trình Mạch điện tử (Tập 1): Phần 2 - ThS. Nguyễn Tấn Phước

    pdf 76 p | 345 | 143

  • Bài 6 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Trường (FET)

    pdf 11 p | 2001 | 109

  • Giáo trình Điện tử cơ bản: Phần 2

    pdf 52 p | 341 | 92

  • Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự-Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT)

    pdf 16 p | 640 | 50

  • Linh kiện Điện tử tương tự

    pdf 145 p | 197 | 50

  • Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự-Bài 6 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Trường (FET)

    pdf 8 p | 279 | 31

  • Mạch khuếch đại Transistor

    pdf 14 p | 194 | 30

  • Giáo trình Thực hành điện tử cơ bản - Trường ĐH Công nghệ Đồng Nai

    pdf 63 p | 28 | 17

  • Giáo trình Mạch điện tử Kỹ thuật tương tự: Mạch khuếch đại - Phần 2

    pdf 127 p | 39 | 9

  • Giáo trình Mạch điện tử (Nghề: Điện tử công nghiệp - CĐ/TC) - Trường Cao đẳng Nghề Đồng Tháp

    pdf 53 p | 79 | 6

  • Giáo trình Điện tử tương tự: Phần 1 - Học viện Công nghệ Bưu chính Viễn Thông

    pdf 66 p | 28 | 6

  • Bài giảng Điện tử tương tự 1: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng transistor lưỡng cực

    pdf 36 p | 13 | 6

  • Giáo trình Điện tử cơ bản (Ngành: Điện công nghiệp - Trung cấp) - Trường Cao đẳng nghề Ninh Thuận

    pdf 142 p | 9 | 6

  • Giáo trình Kỹ thuật mạch điện tử (Ngành: Điện tử công nghiệp - Trung cấp) - Trường Cao đẳng nghề Ninh Thuận

    pdf 233 p | 11 | 5

  • Giáo trình Mạch điện tử - Trường CĐ nghề Số 20

    pdf 97 p | 13 | 4

  • Bài giảng Điện tử tương tự 1: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng transistor trường

    pdf 20 p | 11 | 2

Thêm tài liệu vào bộ sưu tập có sẵn: Đồng ý Thêm vào bộ sưu tập mới: *Tên bộ sưu tập Mô Tả: *Từ Khóa: Tạo mới Báo xấu
  • Hãy cho chúng tôi biết lý do bạn muốn thông báo. Chúng tôi sẽ khắc phục vấn đề này trong thời gian ngắn nhất.
  • Không hoạt động
  • Có nội dung khiêu dâm
  • Có nội dung chính trị, phản động.
  • Spam
  • Vi phạm bản quyền.
  • Nội dung không đúng tiêu đề.
Hoặc bạn có thể nhập những lý do khác vào ô bên dưới (100 ký tự): Vui lòng nhập mã xác nhận vào ô bên dưới. Nếu bạn không đọc được, hãy Chọn mã xác nhận khác.. Đồng ý LAVA AANETWORK THÔNG TIN
  • Về chúng tôi
  • Quy định bảo mật
  • Thỏa thuận sử dụng
  • Quy chế hoạt động
TRỢ GIÚP
  • Hướng dẫn sử dụng
  • Upload tài liệu
  • Hỏi và đáp
HỖ TRỢ KHÁCH HÀNG
  • Liên hệ
  • Hỗ trợ trực tuyến
  • Liên hệ quảng cáo
Theo dõi chúng tôi

Chịu trách nhiệm nội dung:

Nguyễn Công Hà - Giám đốc Công ty TNHH TÀI LIỆU TRỰC TUYẾN VI NA

LIÊN HỆ

Địa chỉ: P402, 54A Nơ Trang Long, Phường 14, Q.Bình Thạnh, TP.HCM

Hotline: 093 303 0098

Email: support@tailieu.vn

Giấy phép Mạng Xã Hội số: 670/GP-BTTTT cấp ngày 30/11/2015 Copyright © 2022-2032 TaiLieu.VN. All rights reserved.

Đang xử lý... Đồng bộ tài khoản Login thành công! AMBIENT

Từ khóa » Bjt Lưỡng Cực